企业新闻
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Fujitsu 开发出全球首款覆盖C-Ku波段的GaN HEMT 收... 2011-9-27
日本富士通实验室(FUJITSU LABORATORIES)宣布其已经成功开发出世界第一个采用GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)技术的收发(T/R)组件
Schmid 选择性发射极刻蚀机继续成功之道 2011-9-23
Schmid的湿化学工艺以最小的成本为客户提高明显地竞争优势。以激光为基础的选择性发射极单晶技术仅仅通过提高开压(短流并无提升)达到0.3%的提升;与此相比,Schmid开发的湿化学技术同时提高短流...
默克推出solaretch刻蚀浆料 可大幅提高晶硅太阳能... 2011-9-15
默克推出isishape刻蚀概念,可大幅提高晶硅太阳能电池效率
大族激光携手日本滨松共同开发出LED隐形划片 2011-9-13
隐形划片是将激光聚焦于晶圆内部,形成一个分割用的改质层(即SD层),再对晶圆施以外力,将其分割成晶粒的划片技术。大族激光与日本滨松光子学株式会社强强联手,共同开发出新一代顶尖划片技术设备...
RFG1Mxxxxx 高功率氮化镓宽频功率晶体管 2011-9-13
RFMD 的高功率氮化镓宽频功率晶体管 (BPT) 经过优化,适用于700MHz 至 2.2GHz 频段的商用基础设施、军事通信和通用放大器应用。
TE Connectivity推出FlexWave Prism室内遥控装置 2011-9-8
新的Prism DAS大功率室内遥控装置,利用原有的同轴电缆支持3G和4G服务交付
Odersun的Solarmodule-Designer获得红点设计大奖 2011-9-8
Solarmodule-Designer是一款在线配置软件工具,能够对Odersun的光伏建筑一体化(BiPV)定制太阳能组件进行交互设计。
IR 推出可靠的超高速 1200 V IGBT 2011-9-6
IR近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,可显著降低开关及传导损耗,提升整体系统效率
欧司朗推出1W级红外LED 2011-9-2
欧司朗的纳米堆叠 (nanostack) 芯片技术及温度稳定的 OSLON 黑色系列封装,为这款突破性高性能装置打下了坚实的基础
Sony 发布OLED头配显示器 2011-9-2
Sony 31日发布新闻稿宣布,将于今(2011)年11月11日开卖全球首款搭载有机EL(OLED)面板、并可支持3D影像播放的头配显示器(HeadMountedDisplay)“HMZ-T1”。
应用材料 Baccini® Pegaso 突破性系统 将推动... 2011-9-2
全新应用材料Baccini® Pegaso™模块化平台,依托智能化制造技术,使业界能以更低的成本实现基于下一代更高效设计的太阳能电池的生产
亚玛顿:向光伏玻璃镀膜技术应用领域延伸 2011-9-1
得益于自身镀膜材料和镀膜工艺的核心技术,亚玛顿延伸了光伏玻璃镀膜技术应用领域
松下电工成功开发出LED晶圆集成封装 2011-8-30
松下电工成功研发出通过晶圆级接合的4枚LED 晶圆集成封装
无锡开日成功推出KR-800B多晶铸锭炉 2011-8-29
KR-800B多晶铸锭炉已在市场上试运行成功,所得各项数据稳定,投料710Kg-800kg,总耗时<74hr,硅锭尺寸大小为996mm×996mm×340mm,最高有效利用率在74%。
Avago推出16千兆光纤通道收发器 2011-8-26
这款新模块在几乎相同的功率下,可提供两倍于当前光纤通道设备的数据带宽,同时还可提高端口密度。
微芯科技发布新款 InGaP/GaAs 射频功率放大器 2011-8-25
针对5 GHz Wi-Fi应用,微芯科技发布新款 InGaP/GaAs 射频功率放大器
富士电机拟开设SiC功率器件生产线 2011-8-24
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体,并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线,此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线,未来预计在2012年春季开...
杜邦推出 PV5400 系列高性能密封材料 2011-8-22
DuPont PV5400 系列封装膜是基于薄膜离子型聚合物的高性能密封材料。这种新型密封材料具有比EVA和PVB密封材料高100倍的电阻率,用于薄膜太阳能电池组件封装,特别是迭片结构的组件封装
ANADIGICS宣布向LG电子批量供货,助推LG Revoluti... 2011-8-15
ANADIGICS HELP4 LTE功率放大器为Verizon Wireless定制的LG Revolution Android智能手机和VL600 USB调制解调器提供鼎力支持
SemiSouth以新型SiC JFET器件进入高端音频市场 2011-8-15
SemiSouth透露其最新碳化硅JFET器件较传统器件成本低15%,且线性特征和保真性能优良,非常适合于高端音频放大器的需求
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