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上海大革智能科技有限公司打造碳化硅产业化项目

      材料来源:大半导体产业网

面对全球日益严苛的能效要求,节能减排已成为现今电子产品不可忽略的重要环节;传统以硅为材料的功率半导体,正逐渐面临发展瓶颈,而具有比硅更低导通电阻及更高切换速度的碳化硅(SiC)功率器件以其优异的高耐压、低损耗、高导热率等优异性能,有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。

碳化硅(SiC)作为功率器件的能量损耗只有硅(Si)器件的功率50%,发热量也只有硅(Si)器件的50%;且有更高的电流密度。在相同功率等级下,碳化硅(SiC)功率模块的体积显著小于硅(Si)功率模块,以智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)为例,利用碳化硅(SiC)功率器件,其模块体积可缩小至硅(Si)功率模块的1/3~2/3。

《中国制造 2025》是我国实施制造强国战略第一个十年的行动纲领,其中提出,要以智能制造为突破口和主攻方向。以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体电力电子器件制造成套工艺与装备,作为作为电子领域的智能制造得到了国家重点的关注。

上海大革智能科技有限公司,对比当前德国、美国、俄罗斯、日本多家企业的碳化硅长晶技术及设备制造厂家。选定与日本日新技研株式会社合作,研发 PVT(升华法),HTCVD(高温气相沉积法)制造6寸碳化硅4H和半绝缘晶体。

日新技研株式会社是拥有40多年制造历史的企业,主要业务领域包含:合成晶体设备(碳化硅晶体、铌酸锂晶体、碳酸锂晶体、氧化镓晶体等);高周波电源;电子枪。在日本的大多数半导体企业都是日新技研服务的客户。日新技研在碳化硅长晶设备方面,PVT(升华法),HTCVD(高温气相沉积法),LPE(液相法)的碳化硅长晶设备在日本国内均有销售实绩。同时,日新技研企业内部也掌握了相关的碳化硅长晶参数,为上海大革的碳化硅技术转移到中国大陆打下了良好的数据基础。

上海大革智能科技有限公司,作为日新技研设备的中国地区销售代理,同时又获得了日新技研长晶设备在中国大陆制造的授权。 上海大革整合了国内晶体合成领域的专家,启动碳化硅长晶项目。同时将结合国内多家投资公司,建立一个规模10亿人民币的碳化硅产业基金,用于碳化硅晶体及下游外延,器件产业的投资。上海大革正在筹备建立的合作碳化硅长晶实验室,预计于2016年底启动。实验室致力于研发高质量大尺寸碳化硅长晶技术,最终目标实现长晶设备和制造工艺的推广和销售。

上海大革利用自身作为多年从事中日半导体材料贸易的背景,已经与日本功率半导体器件厂家建立了良好的合作关系,在下一阶段将积极推动碳化硅材料的后续产业,力争实现碳化硅全产业链的国产化。

目前,国内多家产业投资公司与地方政府,已经通过多种渠道向上海大革提出邀约,希望能够建立碳化硅产业化基地。相信在国家的支持和推动下,结合多方的努力,碳化硅作为第三代半导体材料的代表将在中国蓬勃发展、领跑世界。


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