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英飞凌推出可提高开关速度的第六代650 V CoolSiC™肖特基二极管

     

英飞凌推出可提高开关速度的第六代650 V CoolSiC™肖特基二极管

2017年9月29日,德国慕尼黑讯 – 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出第六代650 V CoolSiC™肖特基二极管,是CoolSiC二极管产品系列的最新成员。它立足于第五代产品与众不同的特性,能确保可靠性、质量并提高效率。CoolSiC G6二极管是对600 V和650 V CoolMOS™ 7产品系列的完美补充。它们面向当前和未来的服务器和PC电源、电信设备电源和光伏逆变器应用。

第六代650 V CoolSiC肖特基二极管采用全新布局以及全新专有肖特基金属系统,内部结构也与上代产品完全不同。其结果就是树立行业标杆VF(1.25 V),以及比上一代产品低17%的Qc x VF 优质系数(FOM)。此外,新推出的第六代全新二极管充分发挥碳化硅的强大特性——独立于温度的开关性能和没有反向恢复电荷。

该器件的设计有助于在所有负载条件下提高效率,同时提高系统功率密度。因此, 第六代650 V CoolSiC肖特基二极管具备降低散热要求、提高系统可靠性和极快开关速度等诸多优势。新款器件是具备最佳性价比的新一代碳化硅二极管产品。


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