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英飞凌氮化镓解决方案投入量产

     

 

201811月13日,德国慕尼黑讯英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)携氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER™ IC),精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。英飞凌展示了其产品的优越性:它们具备更高功率密度,可实现更加小巧、轻便的设计,从而降低系统总成本和运行成本,以及减少资本支出。随着CoolGaN 600 V增强型HEMTGaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出,目前英飞凌是市场上唯一一家提供涵盖硅Si)、碳化硅SiC)和氮化镓(GaN)等材料的全系列功率产品的公司。

CoolGaN 600 V增强型HEMT:

最新发布的CoolGaN 600 V增强型HEMT采用可靠的常闭概念,它经专门优化,可实现快速通和关断。它们可在开关模式电源(SMPS)中实现高能效和高功率密度,其优值系数(FOM)在当前市场上的所有600 V器件中首屈一指。CoolGaN开关的栅极电荷极低,且具有极少输出电容,可在反向导通状态下提供优异的动态性能,进而大幅提高工作频率,从而通过缩小被动元器件的总体尺寸,提高功率密度。 英飞凌CoolGaN 600 V增强型HEMT在功率因数校正(PFC)变流器里具有超高的能效(2.5 kW PFC能效 > 99.3%)。相同能效下的功率密度可达到160 W / in3(3.6 kW LLC能效 > 98%)。在谐振拓扑中,CoolGaN线性输出电容可将死区时间缩短至八分之一到十分之一。

放眼市场,CoolGaN拥有行业领先的可靠性。在质量控制过程中,我们不仅对器件本身进行全面测试,而且对其在应用环境中的性能进行全面测试。这确保了CoolGaN开关满足甚至优于最高质量标准。

CoolGaN 600 V增强型HEMT可提供70 m190 mSMD封装,确保杰出的散热性能和低寄生效应。通过提供全系列SMD封装产品英飞凌旨在支持高频运行的应用企业级超大规模数据中心服务器通信整流器适配器充电器SMPS无线充电设施等。

氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER IC):

英飞凌新推出的氮化镓开关管驱动芯片EiceDRIVER IC——1EDF5673K1EDF5673F1EDS5663H——CoolGaN增强型HEMT的完美搭档。它们经专门研发以确保CoolGaN开关实现强健且高效的运行同时最大限度地减少工程师研发工作量加快将产品推向市场。

不同于传统功率MOSFET的栅极驱动IC,这个针对英飞凌CoolGaN量身定制的栅极驱动IC可提供负输出电压,以快速关断氮化镓开关。在开关应处于关闭状态的整个持续时间内,GaN EiceDRIVER IC可以使栅极电压稳定保持为零。这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响,哪怕是首脉冲,这对于SMPS实现强健运行至关重要。氮化镓栅极驱动IC可实现恒定的GaN HEMT开关转换速率,几乎不受工作循环或开关速度影响。这可确保运行稳健性和很高能效,大大缩短研发周期。它集成了电隔离,可在硬开关和软开关应用中实现强健运行。它还可在SMPS一次侧和二次侧之间提供保护,并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。

GaN EiceDRIVER 1EDF5673K采用13引脚LGA 5x5 mm封装,1EDF5673F采用16引脚DSO 150 mil封装,1EDS5663H采用16引脚DSO 300 mil封装。

供货

全新CoolGaN 600 V增强型HEMT现已开始供货,硅基GaN EiceDRIVER IC可供预订。更多信息敬请访问www.infineon.com/gan www.infineon.com/gan-eicedriver

英飞凌亮相2018年德国慕尼黑电子展

如何生产清洁能源,如何以快速且低损耗的方式将之输送给电动汽车?当我们向云端传送越来越多的数据时,是什么让服务器变得更加高效?目前,机器人是否适合在人们的日常生活中使用?在互联互通的世界里,我们如何保护自己,抵御网络袭击?携手客户和战略伙伴,德国最大的半导体制造商正在研制面向未来的联网世界的解决方案。1113日至16英飞凌将亮相2018年德国慕尼黑电子展,展示现实与数字世界的连接欢迎莅临英飞凌展台C3503号展台。更多信息敬请访问www.infineon.com/electronica


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