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三星开始大规模生产下一代内存芯片MRAM

      材料来源:集微网

据businessKorea报道,三星已开始生产磁阻随机存取存储器(MRAM)。预计MRAM将改变半导体市场的格局,因为它兼具DRAM与NAND闪存的优点。

 

三星3月6日宣布,已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上,开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。该公司在首尔近郊京畿道器兴厂房举行了仪式,标志着新内存产品的首次发货。

这种解决方案无需在数据记录期间擦除数据,并实现了比传统闪存快1000倍左右的写入速度。三星表示,由于它在断电时保存了存储的数据,并且不使用额外的备用电源,所以它的功耗也很优秀。

 

三星将FD-SOI工艺与嵌入式设计技术相结合。在FD-SOI工艺中,硅片上覆盖一层绝缘膜,在顶部形成晶体管。它的特点是大大降低了晶体管运行过程中产生的漏电流。该公司在FD-SOI进程中添加了嵌入式内存技术。嵌入式存储技术是一种存储模块,用于小型电子设备的微控制器单元(MCU)和片上系统(SoC)等系统半导体中存储信息。

 

三星电子表示,该解决方案结构简单,可以通过在当前基于逻辑流程的设计中添加最少的层数来实现,从而减轻了公司进行新设计的负担,并降低了生产成本。三星计划扩大其嵌入式内存解决方案,从今年生产1块Gbe MRAM测试芯片开始。

 

行业分析师表示,随着eMRAM的推出,三星将增加其代工销售,同时增强其在代工方面的竞争力,以确保在未来半导体市场占据领先地位。

三星计划明年推出18纳米FD-SOI eMRAM工艺。 


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