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聚焦新产品,Soitec创新研发进行时

     

作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司致力于以创新研发满足客户提高产品性能、降低能耗以及综合成本的需求。Soitec重视开发突破性的制造工艺并改善现有工艺,将收入着重用于研发,持续助力行业技术创新。

 

目前,Soitec在全球拥有超过3500项现行专利,研发人员占比12.5%,研发投资达到年收入12%。

 

 

 

几十年来,遵循摩尔定律,器件小型化与降低成本一直是半导体行业的前进方向。然而,新的光刻解决方案及10nm节点以下设备的研发投入骤增,在当下,更先进节点已不再具备理想的成本效益,而半导体材料功能的多样化,包括异质集成材料如硅、III-V族化合物材料或压电材料等,成为提高性价比的替代解决方案之一。

Soitec的研究工作包括SiC和InGaNOS等复合材料的新开发,从而带来高附加值以满足市场需求。

 

SiC

 

随着电动汽车的发展,SiC功率器件市场持续增长。碳化硅的总体有效市场(TAM)预计将达每年数百万个晶圆片(200-mm晶圆片)。 SiC拥有广泛的应用领域,例如电动汽车的车载充电装置,以及在电力电子设备中实现功率转换和控制等。然而,SiC的大规模应用一直受到供应量、良率及成本等因素的限制。

 

为解决上述难题,早在2005年Soitec就开展了碳化硅衬底的研发。通过Smart Cut™工艺,Soitec可以将纯净碳化硅晶体切割为薄层,并将其转移到(受体)衬底上,从而提高良率、降低成本、扩大材料供应,并帮助提升终端设备性能。

 

在2019年11月,Soitec宣布与应用材料公司启动联合项目,展开对新一代碳化硅衬底的研发。Soitec将应用其专利技术Smart Cut™,目前该技术广泛应用于SOI产品生产,保障芯片制造商材料供应。而应用材料公司将在制程技术与生产设备方面提供支持。在此次研发项目中,两家公司将在CEA-Leti的衬底创新中心中增添一条碳化硅优化衬底实验生产线。此条生产线预计于2020年上半年开始运行,目标为在2020年下半年使用Soitec的Smart Cut™技术生产碳化硅晶圆片样品。

 

InGaNOS

InGaNOS是一种创新型松弛InGaN优化衬底,适用于红绿蓝(RGB)μLED应用。一个像素由三个LED(红色、绿色和蓝色)组成。而到目前为止,仅绿色和蓝色LED可以构建在同一衬底上,且绿色LED在其中表现效率较低,红色LED则需要特殊的材料完成构建。

 

为了解决上述难题,Soitec开发了创新型衬底InGaNOS(以蓝宝石为衬底的氮化铟镓),这是一种应用于μLEDs的创新型松弛InGaN优化衬底。这种独特的松弛InGaN模式针对微米级以下的高性能红色和绿色microLED,最终实现红色,绿色和蓝色的μLED在同一晶片上的集成。

 

在微米尺度上,InGaNOS比磷化物具有更高的红色效率,将被广泛用于车载显示器。 据Yole 2017年预测,InGaNOS 的总体有效市场在2024财年将超400万晶圆片(150mm晶圆片)。Soitec将进一步致力于InGaNOS的研发,以实现批量生产。

 

以设计和交付创新型衬底与解决方案,赋能客户产品,缔造美好生活为使命,Soitec持续专注于研发,不断丰富其第三代化合物半导体产品线。通过为行业提供创新的科技与产品解决方案,Soitec立志推动全球产业共同前行。


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