Transphorm, Inc.近日推出一款新的评估板(TDTTP4000W065AN)。该评估板设计用于单相AC-DC电源转换,最大功率可达4千瓦。
由于采用无桥图腾柱功率因数校正(PFC)拓扑,使用传统的模拟控制,该评估板能够轻松快速地让Transphorm最新SuperGaN™ FET器件发挥一流转换效率,无需像使用数字信号控制器(DSC)评估板一样进行固件开发。
RDDR推动氮化镓器件应用
Transphorm高压氮化镓平台和相关设计工具的创新思路一直以来都以RDDR为中心,即
1) 一流的氮化镓器件可靠性(Reliability)
2) 易设计性(Designability)
3) 易驱动性(Drivbability)
4) 大规模量产可重复性(Reproducibility)
因此,这款新推出的TDTTP4000W065AN评估板,一样能够为电源系统工程师提供比使用超结MOSFET器件的标准CCM Boost PFC设计更高的效率。
Transphorm高压氮化镓功率半导体器件四个特点“RDDR”:帮助客户在降低FET成本的同时提高系统性能。
该评估套件的额定值为4kW高压线(180-260V) 和 2kW低压线(90-120V)。
此模拟图腾柱解决方案有下列两项主要优点:
1) 维护电源,也就是系统中提供芯片组上电和供电等基本支持功能所需的电源,在任何系统中均相对固定。因此,当应用功率电平降低,维护电源在系统总功率损耗中将占较大比例。与DSP解决方案相比,因为Transphorm的模拟板初始维护功率就较低,因而提高了整体系统效率。
2) 不需要DSP固件编程,适合标准CCM升压AC-DC PFC功率级。
当然,如果工程师需要更高的设计灵活性,可以选择Transphorm今年初推出的TDTTP4000W066C。这款基于DSC的4kW交流转直流板也使用无桥图腾柱PFC拓扑以及Transphorm公司的SuperGaN FET器件,但是,它整合了Microchip公司的dsPIC33CK DSC板。Microchip的DSC板经过预编程,能得到专用固件支持。
Transphorm技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示:“Transphorm的模拟评估板为客户提供了极少有的以极其简单的方式使用高效氮化镓功率器件的机会。“
“与Transphorm之前推出的数字板非常相似,这款模拟板为电源系统工程师提供了以往高压设备市场所缺少的选择。“ Philip Zuk认为,无论最终应用有怎样的市场价值定位,Transphorm都能提供各种工具集和性能强大的氮化镓器件,帮助客户取得成功。
SuperGaN器件性能超越超结MOSFET
TDTTP4000W065AN评估板采用Transphorm第四代SuperGaN平台的氮化镓功率器件TP65H035G4WS 作为快速开关支路,并在慢速开关支路中使用低电阻硅MOSFET。最终性能与数字评估板TDTTP4000W066C相似。
TP65H035G4WS是采用TO-247通孔封装、导通电阻为35毫欧的650伏器件,固有良好的散热能力,因此消除了将器件并联以输出更高功率的需求。而性能相当的表面贴装GaN解决方案则不得不使用并联设计。
另外,和所有Transphorm的氮化镓器件一样,驱动SuperGaN FET,可以使用4伏阈值电压(Vth)及0至12伏现成的标准栅极驱动电路。
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