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Vishay 公司新型200V n沟道MOSFET提高系统功率密度且节省能源

     

Vishay推出新款200V N沟道MOSFETRDS(ON)

导通电阻达到业内最低水平,提高系统功率密度节省能源

 

TrenchFETâ器件典型RDS(ON) 61 mΩ,优值系数为 854 mΩ*nC,封装面积10.89 mm²

 

 2020 9 23 Vishay Intertechnology, Inc.(宣布,推出新型200V n沟道MOSFET---SiSS94DN,器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装,10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时,经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN专门用来提高功率密度,占位面积比采用6mm x 5mm封装相似导通电阻的器件减小65 %

 

日前发布的TrenchFET® 第四代功率MOSFET典型导通电阻比市场上排名第二的产品低20 %FOM比上一代解决方案低17 %。这些指标降低了导通和开关损耗,从而节省能源。外形紧凑的灵活器件便于设计师取代相同导通损耗,但体积大的MOSFET,节省PCB空间,或尺寸相似但导通损耗高的MOSFET

 

SiSS94DN适用于隔离式DC/DC拓扑结构原边开关和同步整流,包括通信设备、计算机外设、消费电子; 笔记本电脑、LED电视、车辆船舶LED背光;以及GPS、工厂自动化和工业应用电机驱动控制、负载切换和功率转换。

 

器件经过100 % RGUIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

 

SiSS94DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。

 

 

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of techÔVishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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