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Transphorm筹资1500万美元,发展GaN外延业务及电动汽车应用

      材料来源:semiconductor-today

Transphorm Inc,位于美国加利福尼亚州圣塔芭芭拉附近的Goleta城市,主要设计和制造符合JEDEC-Q101和AEC-Q101要求的650V和900V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),适用于高压电源转换应用。近日已定价以每股3.00美元的价格私募5,000,000股普通股,总收入达1500万美元(扣除配售代理的佣金,财务顾问费和其他发行费用)。

 

Transphorm打算将净收益应用在以下方面,扩大快速充电电源适配器、服务器、电源和其他市场GaN产品的新设计和批量发货量,提高电动汽车(EV)应用的采样合格性 ,增长外延片业务以及作为一般业务的营运资金。

 

Loop Capital Markets LLC和Spartan Capital Securities,LLC担任私募的配售代理。 B. Riley Securities Inc.和Craig-Hallum Capital Group LLC担任财务顾问。

 

 

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