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意法半导体扩展了MasterGaN系列产品

材料来源：semiconductor-today

瑞士日内瓦的意法半导体（STMicroelectronics）公开发布了新产品——MasterGaN2，为其MasterGaN平台上开发的新系列中的首款产品，其中包含两个非对称氮化镓（GaN）晶体管，可为软开关和有源整流转换器拓扑的集成GaN提供解决方案。

意法半导体指出，650V常关型GaN晶体管的导通电阻（RDS（on））为150mΩ和225mΩ，这两种产品都将经过优化的栅极驱动器结合在一起，使GaN技术象普通硅器件一样容易使用。通过将先进的集成技术与GaN固有的性能优势相结合，MasterGaN2进一步使其拓扑结构的效率增益提升、尺寸减小、重量减轻，其中典型代表为有源钳位反激。

MasterGaN功率级封装（SiP）系列在同一封装中结合了两个GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和相关的高压栅极驱动器，并内置了所有必要的保护机制。设计人员可以将包括霍尔传感器和控制器（例如DSP，FPGA或微控制器）的外部器件直接连接到MasterGaN器件上。意法半导体表示，这些输入与3.3V至15V的逻辑信号兼容，有助于简化电路设计，使得更小的占位面积成为可能，并简化了整个组装过程。这种集成方式有助于提高适配器和快速充电器的功率密度。

GaN技术正在推动快速USB-PD适配器和智能手机充电器领域的发展。ST认为MasterGaN器件可使这些器件的体积缩小80％，重量减轻70％，而充电速度是普通硅基材料的三倍。

内置保护结构包括低侧和高侧欠压锁定（UVLO），栅极驱动器互锁，专用停机引脚和过热保护等。9mm x 9mm x 1mm GQFN封装针对高压应用进行了优化，高压和低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。

MasterGaN2现已开始生产， 1,000颗的订购起价为6.50美元。

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