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Odyssey筹集500万美元开发垂直结构高压GaN器件

      材料来源:化合物半导体杂志

 

 

美国初创公司计划在2021年底之前为客户提供其垂直导电GaN产品的样品


Odyssey Semiconductor Technologies是一家美国公司,致力于开发垂直导电高压GaN功率器件,该公司已经筹集了500万美元(125万股,每股4.00美元)的普通股定向增发,以资助其技术的进一步开发和生产。

 

“我们欢迎新股东加入Odyssey Semiconductor,欢迎他们支持我们为电动汽车等应用实现更高效、更紧凑的电源转换。”Odyssey Semiconductor董事长兼首席执行官Alex Behfar表示,“全世界都在关注清洁能源和电力的采用,我们为我们的技术可以为行业带来的进步感到兴奋。”

 

基于垂直导电的GaN功率器件的性能优于使用硅和SiC制造的其他器件,但事实证明,使用标准方法很难制造它们。因此,GaN功率器件一直被归结为水平导电的低压、消费类电子产品。Odyssey已经开发了专有的GaN处理技术来生产高压功率开关器件,该器件将打破电动汽车、太阳能逆变器、工业电机和电网等应用的长期性能障碍。

 

根据该公司的说法,在GaN衬底上生长的垂直导电GaN器件,单位面积的缺陷减少了约1000-10,000个,从而可以在高达10,000 V或更高的电压下可靠地运行。GaN器件的管芯尺寸要小得多,即使GaN衬底价格更高,它们相对于具有相似额定值的SiC器件也具有竞争力。

 

该公司计划在2021年底之前为客户提供垂直导电GaN产品的工程样品,并根据联合电子器件工程委员会(JEDC)标准开始资格认证。

 

Odyssey半导体公司最近还通过其代工服务扩大了客户群。Odyssey团队在支持各种半导体应用(包括功率器件、集成光电、化学传感和光谱学)方面拥有丰富的经验。该公司为客户提供从原型生产到全面代工的支持。

 

Odyssey总部位于纽约州伊萨卡市,在那里拥有并经营着一个面积达10,000平方英尺的半导体晶圆制造厂,拥有1,000级和10,000级的洁净空间以及先进的半导体开发和生产工具。

 

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