罗姆推出内置 SiC 二极管的新型混合 IGBT

ROHM 开发了集成 650V SiC 肖特基势垒二极管的混合 IGBT，即 RGWxx65C 系列（RGW60TS65chr、RGW80TS65chr、RGW00TS65chr）。这些器件符合 AEC-Q101 汽车可靠性标准。它们非常适合处理大功率的汽车和工业应用，例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和电气化车辆 (xEV) 中使用的 DC/DC 转换器。

RGWxx65C 系列在 IGBT 的反馈块中使用 ROHM 的低损耗 SiC 肖特基势垒二极管作为续流二极管，几乎没有恢复能量，因此二极管开关损耗最小。此外，由于在开启模式下恢复电流不必由 IGBT 处理，因此显着降低了 IGBT 的开启损耗。当用于车辆充电器时，与传统 IGBT 相比，这两种效应共同导致损耗降低了 67%，与超级结 MOSFET (SJ MOSFET) 相比，损耗可降低 24%。这种效果提供了良好的性价比，同时有助于降低工业和汽车应用中的功耗。

近年来，全球为减少环境负担、实现碳中和及脱碳社会所做的努力刺激了电气化车辆 (xEV) 的普及。与此同时，随着超低损耗SiC功率器件（即SiC MOSFET、SiC SBD）和传统硅功率器件（如IGBT、超级结MOSFET）的技术创新，功率半导体的多样化目前正在进行，它们被用在配置更高效系统所需的各种车辆逆变器和转换器电路中。

为了给广泛的应用提供有效的电源解决方案，罗姆不仅专注于行业领先的 SiC 功率器件的产品和技术开发，还专注于硅产品和驱动器IC的开发。

供货日期：2021 年 3 月（样品），2021 年 12 月（批量生产）

应用实例

• 汽车充电器（车载充电器）

• 车载 DC/DC 转换器

• 太阳能逆变器（功率调节器）

• 不间断电源 (UPS)

混合型 IGBT 产品系列 [RGWxx65C系列]

除了这些新型混合 IGBT 之外，我们还提供使用硅 FRD 作为续流二极管的产品以及不带续流二极管的产品。单击下面的网址了解更多信息。

https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?SearchWord=rgw

设计支持材料

ROHM 网站上还提供了广泛的设计数据，包括仿真 (SPICE) 模型和驱动电路设计的应用说明——这对于支持快速引入市场的集成和评估是必要的。在此处探索更多信息：

https://www.rohm.com/products/igbt/field-stop-trench-igbt?PS_BuiltInDiode=SiC-SBD

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