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应用材料公司帮助 SiC 芯片制造商向 8英寸(200mm )迈进

      材料来源:化合物半导体

新型 200 毫米 CMP 系统可精确去除晶圆上的 SiC 材料,以帮助最大限度地提高芯片性能、可靠性和成品率


应用材料公司 (Applied Materials )宣布推出新产品,帮助 SiC 芯片制造商从 150 毫米晶圆生产过渡到 200 毫米生产,每个晶圆的芯片产量大约翻一番,以满足全球对优质电动汽车动力系统不断增长的需求。

 

“为了推动计算机革命,芯片制造商转向越来越大的晶圆尺寸,大幅提高芯片产量以满足迅速增长的全球需求。”应用材料公司 ICAPS 集团副总裁兼总经理 Sundar Ramamurthy 表示, “今天,我们正处于另一场革命的早期阶段,这将受益于应用材料公司在工业规模的材料工程方面的专业知识。”

 

“交通运输行业的电气化是一个上升趋势,我们正在通过我们的 Wolfspeed 技术引领从硅到 SiC 的全球过渡,从而加速这一转折点。”Cree 总裁兼首席执行官 Gregg Lowe 表示, “在更大的 200 毫米晶圆上提供最高性能的 SiC 功率器件使我们能够增加最终客户的价值并满足不断增长的需求。”

 

“应用材料公司在帮助加快Albany 200 毫米工艺认证和我们Mohawk Valley工厂的多设备安装方面的支持正在加速这一转变,”Lowe 补充道, “此外,应用材料公司的 ICAPS 团队正在开发的新技术,例如高温注入,拓宽和深化了我们的技术合作,并帮助加快了我们的电力技术路线图。”

 

新型 200mm SiC CMP 系统

 

SiC 晶圆表面质量对于 SiC 器件制造至关重要,因为晶圆表面上的任何缺陷都会迁移到后续层。为了生产具有最高质量表面的均匀晶圆,应用材料公司开发了 Mirra® Durum™ CMP* 系统,该系统将抛光、材料去除测量、清洁和干燥集成在一个系统中。与机械研磨的 SiC 晶片相比,新系统的成品晶片表面粗糙度降低了 50 倍,与批量 CMP 处理系统相比,粗糙度降低了 3 倍。

 

高温注入提高 SiC 芯片性能和功率效率

 

在 SiC 芯片制造过程中,离子注入将掺杂剂置于材料中,以帮助启用和引导高功率电路中的电流流动。 SiC 材料的密度和硬度使得注入、准确放置和激活掺杂剂极具挑战性,同时最大限度地减少对晶格的损坏,从而降低性能和功率效率。应用材料公司通过用于 150 毫米和 200 毫米 SiC 晶片的新型 VISTA® 900 3D 高温离子注入系统解决了这一挑战。高温注入技术注入离子时对晶格结构的破坏最小,与室温注入相比,电阻率降低了 40 倍以上。

 

应用材料公司 的 ICAPS(物联网、通信、汽车、电源和传感器)业务正在为 SiC 功率芯片市场开发更多产品,包括 PVD、CVD、蚀刻和工艺控制。

 

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