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SemiQ 发布 1200V 80mΩ SiC MOSFET

      材料来源:化合物半导体

新型 MOSFET 补充了该公司现有的 650V、1200V 和 1700V SiC 整流器


SemiQ 宣布推出其第二代 SiC 功率开关,即 1200V 80mΩ SiC MOSFET,扩大其 SiC 功率器件产品组合。该 MOSFET 补充了公司现有的 650V、1200V 和 1700V SiC 整流器。

 

SemiQ 设计了这款 MOSFET,以提供传导和开关损耗的最佳平衡,从而使其应用范围尽可能广泛。

 

如附图所示,与流行的竞争产品相比,该 SemiQ 器件在整个频率范围内保持其效率优势。

 

与市场上的其他器件相比,这为设计人员在更广泛的应用范围内提供了更大的灵活性。

 

SiC MOSFET 为包括电动汽车、电源和数据中心在内的高性能应用带来了高效率,并且经过专门设计和测试,可在极端环境中可靠运行。与传统的硅 IGBT 相比,SemiQ 的 MOSFET 开关速度更快,损耗更低,通过减小尺寸、重量和冷却要求实现系统级效益。

 

SIMQ总裁兼总经理Michael Robinson说:“感谢那些不知疲倦的员工、同事、支持者和供应商,他们致力于制造和鉴定我们最初的Gen2 SiC功率MOSFET,该MOSFET展示了高质量、优化的性能和强健的可靠性,这将是即将推出的SemiQ MOSFET产品组合的特征。”

 

SemiQ 的新型 1200V 80mΩ SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装,很快将采用 TO-247-4L 封装和一系列模块供货。

 

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