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英诺赛科为手持移动设备提供GaN HEMT

      材料来源:化合物半导体

具有低 RDS(on) 的 40V 双向 GaN HEMT 针对智能移动设备、充电器和适配器


中国GaN公司英诺赛科日前宣布推出INN40W08,这是一款适用于笔记本电脑和手机等移动设备的40V双向GaN-on-Si增强模式HEMT。INN40W08 HEMT是使用该公司的InnoGaN技术开发的。

 

英诺赛科欧洲总经理兼美国和欧洲市场经理 Denis Marcon 评论道:“在过去的几年中,手机充电器制造商已采用 GaN 技术来提供更大的功率并缩小设备尺寸。然而,英诺赛科的重大突破使其有可能将GaN HEMT引入手机,从而提高效率和性能。凭借英诺赛科巨大的可用产能,我们提供了当今客户期望的安全供应链。”

 

新型INN40W08 GaN HEMT具有双向阻断能力,其导通电阻为7.8mΩ。这是通过专利的应变增强层技术实现的,该技术可将薄层电阻降低 66%。栅极电荷 (QG) 通常为 12.7nC。5x5 网格晶圆级芯片规格封装 (WLCSP) 尺寸为 2x2 mm。

 

小尺寸使 INN40W08 GaN HEMT 能够集成到手机内部。应用包括高端负载开关、智能手机 USB 端口中的过压保护以及包括充电器和适配器在内的多个电源。在过压保护系统中,该技术可以用一个 InnoGaN(或 BiGaN)晶体管代替两个硅MOSFET。

 

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