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纳微半导体发布新产品NV6169,功率提升50%,进入电动汽车,太阳能和数据中心行业

      材料来源:化合物半导体

NV6169 是最先进的纳微第三代氮化镓平台中额定功率最高的功率芯片
 
氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克代码:NVTS)正式发布 NV6169,这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片,可满足高功率应用,例如 400-1000 W 4K/8K 电视和显示器、下一代游戏电竞系统、500 W 太阳能微型逆变器、1.2 kW 数据中心 SMPS 和4 kW电机驱动。
 
氮化镓是下一代功率半导体技术,运行速度比传统硅快20倍,和传统硅充电器相比,氮化镓充电器在一半的尺寸和重量下,能实现3倍功率或3倍的充电速度。纳微半导体下一代GaNSense技术集成了对系统参数的实时、准确和快速感应,包括电流和温度的感知,实现自主保护,和无损耗电流感应能力,实现了轻便小巧,快速,更高的功率。
 
45mΩ的NV6169 采用行业标准的、轻薄、低电感、8 x 8 mm PQFN 封装,导通电阻降低 36%,功率提高 50%,用于高效率、高密度的电力系统。
 
纳微半导体首席运营官,首席技术官兼联合创始人 Dan Kinzer 指出:“超过五千万颗纳微氮化镓功率芯片已交付给包括三星、戴尔、联想和小米在内的各级客户,与 GaN 相关的终端市场故障报告为零,GaNSense 技术能够实时、准确地检测电压、电流和温度,从而进一步提高整体系统性能。未受保护的‘分立’式氮化镓或硅功率芯片无法与纳微半导体的性能和可靠性相媲美,通过提供 NV6169,我们将业务范围扩展到数据中心、太阳能和电动汽车等高功率应用,同时凭借前所未有的20 年有限质保承诺,以加速氮化镓在性能要求更高的系统中的采用”。
 
NV6169 是最先进的纳微第三代氮化镓平台中额定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技术的 GaNFast 功率芯片具有行业首创,无损电流感应和最快的短路保护,实现“检测到保护”的速度仅为 30ns,比分立解决方案快 6 倍。在电机驱动应用中,与IGBT 相比,氮化镓功率芯片可节省高达 40% 的能源,消除 30 个外部组件,并将系统效率提高 8%。
 
与竞争解决方案不同,NV6169 额定工作电压为 650V,额定峰值额定电压为 800V,可在瞬态事件期间稳定工作。作为真正的集成功率芯片,GaN 栅极受到全面保护,整个器件的额定静电放电 (ESD) 规格为业界领先的 2 kV。
 
NV6169 可在签订 NDA后立即提供给客户,批量生产的交货时间目前为 6 至 16 周。设计人员可以使用仿真模型 (PSPICE/LTSPICE/SiMetrix)、3D 封装模型 (STP) 和应用说明 (AN-0016) 来优化下一代系统。
 
关于纳微半导体
 
纳微半导体(纳斯达克股票代码: NVTS)成立于2014年,是氮化镓功率芯片的行业领导者。氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制和保护集成在一起,为移动设备、消费电子、企业、电动汽车和新能源市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。纳微半导体拥有超过145项已经颁发或正在申请中的专利,超过5000万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片已经发货,终端市场故障率为零。2021年10月20日,纳微半导体敲响了纳斯达克的开市钟,并开始在纳斯达克交易。
 
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