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季刊  2017年 第3期



       原子层沉积











       氧化镓器件










       UV LED











       SiC高压MOSFET


                MOS单元
           发射极   栅   源极
                      n-基区
            n-基区
               n-缓冲层
               收集极
                         漏极
       溅射优异的GaN
                                    新型固态



                                    光电倍增管
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