技术文章
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利用液体雾化外延法（mist epitaxy）生产的β-Ga2O3 MESFET验证了这种低成本生长技术的前景 基于自对准Mesa终端成功制备了高性能PtOx/β-Ga2O... 2024-4-18
来自中国科学技术大学的韩照博士，通过将Mesa终端与能够和β-Ga2O3形成高势垒的PtOX电极有机结合，并开发原位退火刻蚀方案， 改进氮化镓衬底减薄技术 2024-4-3
日本大阪大学（Osaka University）的工程师们宣称，他们利用氢基等离子体对氮化镓（GaN）衬底进行减薄的技术取得了新突破。 AI 助力化合物半导体行业新发展 2024-4-3
生成式AI最近在科技行业掀起了一股热潮，ChatGPT和EinsteinGPT等标志性产品吸引了开发者、企业和消费者的目光。 微射流激光技术基于大尺寸金刚石材料分片的研究 2024-3-26
金刚石在高频高压条件下具有广泛且不可替代的应用优势和前景，被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件最有希望的材料 射频声学滤波器技术的发展趋势 2024-3-26
射频声学滤波器是目前移动射频前端主流滤波器技术，包括声表面波和体声波滤波器技术。 用于冰光刻技术的80K低温实验台 2024-2-20
金竟科技公司自主研发的超低温冷台可实现IL（冰光刻）功能，且其性能优于该文提到的所设计低温冷台的性能。 简化SiC衬底生产 2024-2-19
一种突破性工具可在生产标准碳化硅晶碇时实现高精度 拓展深紫外LED的应用领域 2024-2-18
深紫外LED在医疗保健领域的应用正在取得巨大进展，并且在UVC和远UVC的输出功率、效率和寿命方面均有所提高 制造性能更好的蓝色和绿色激光器 2024-2-1
日亚化学（Nichia）成立于1956年，总部位于日本阿南市，是一家知名的化学材料、LED和激光二极管制造商。 SiC功率模块的液冷散热设计与节能分析 2024-1-25
为综合评估SiC功率模块的液冷冷板散热效果，设计了串联、并联与串并联三种冷板流道结构， 从器件温升、系统能效、散热性能三个方面共计10项指标评估了冷板性能 消除应用GaN的障碍 2024-1-22
随着 GaN 性能优势的确立以及 GaN HEMT 挑战的克服，现在是时候解决设计人员最关心的问题了，如价格、可用性和可靠性等 在氧化镓蚀刻方面表现突出 2024-1-17
随着快速发展，目前Ga2O3已经开始影响功率器件市场。由于从熔体中有机会制造出高质量的块状衬底，该类超宽禁带半导体可以以极具竞争力的成本实现器件的卓越性能。 化合物半导体材料的表征分析 2024-1-2
与当前市场上成熟且广泛应用的硅基半导体不同，化合物半导体是由三五族 (Group III and V)、二六族 (Group II and VI) 或同样来源于第四族 (Group IV) 的两个及以上元素组成的化合物。 全球首次采用垂直布里奇曼法（VB）成功制备6英寸β... 2023-12-26
全球首次采用垂直布里奇曼法（VB）成功制备6英寸β型氧化镓单晶 辉煌的栅极氧化物 2023-12-25
人们是否应该担心负栅压应力下 SiC 功率 MOSFET 的栅极氧化物的寿命？绝对不，现在实验表明，它们与在正栅极应力下的寿命一样长 拥护真正的重量级材料：释放Ga2O3的希望 2023-12-19
由于具有令人难以置信的禁带宽度、浅的施主能级，并且可以通过熔体法进行生长，Ga2O3 成为有史以来最有希望的电力电子器件材料。 电子束辐射导致的氮化硅降解及其对半导体失效分析... 2023-11-28
文章重点探讨了电子辐射对硅基氮化物的物理结构和材料成分影响，以及电子辐射对半导体芯片失效分析的潜在影响。 提高4.5kV IGBT模块的功率密度 2023-11-21
2020 年，三菱电机宣布推出额定电压3.3kV的HV100功率模块[1]，采用X系列芯片组。如图1所示，HV100封装易于并联，换流杂散电感低，绝缘电压为10.2kV，具有很高的灵活性。该封装设计初衷是为了满足... 甲脒基光伏钙钛矿电池结晶新策略 2023-10-24
如果说能源利用问题是一场赛跑，那么太阳能电池效率就像是百米飞人大战，小数点后的每一个数字，都是科学家争夺的焦点。一直致力于新型钙钛矿太阳能电池研究的西湖大学团队，又一次在小数点后实现...
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