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2018年全球半导体资本支出将首破千亿美元

2018/5/24 13:08:23      材料来源:www.eet-china.com

IC Insights将2018年资本支出增长的原因归结为“中国效应”,近期长江存储、华力、中芯国际等纷纷搬入设备,算是一个注脚……

受惠于半导体产业仍处于循环周期高档的因素,市场调查机构 IC insight 调查报告指出,2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关。

报告中表示,之前在 2018 年 3 月份,IC insight 曾经预期 2018 年全年半导体的资本支出将成长 8%。如今,才不到一季的时间,IC insight 就把预估值由原本的 8% 上调至 14%。这样看来,2018 年全年的半导体支出将首次破千亿美元大关,而且金额将比 2016 年足足成长 53%。

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报告中进一步指出,近两年来始终位居半导体资本支出龙头的韩国三星,虽然 2018 年还未公布全年的资本支出金额,但三星的确说过,相比2017年,2018年在半导体上的资本支出要收缩。2017年三星在半导体领域豪掷242亿美元,为其过去三年平均资本支出的两倍以上,也是史上单一公司资本支出最高记录,适当收缩实属正常。但从实际表现来看,三星丝毫没有显示出收缩的迹象,仍然摆出“脚踩油门”要大干一场的架势。

事实上,三星在 2018 年第 1 季的半导体资本支出达到 67.2 亿美元,较之前 3 季水平略高。但是,若相较 2016 年同期,则已经成长近 4 倍的规模。累计过去 4 季以来,三星半导体部门的资本支出已经达到 266 亿美元的金额。

IC insight 预期,2018 年三星半导体的资本支出将在 200 亿元上下,略低于 2017 年 242 亿美元。不过,因为 2018 年首季就有较之前略高的成长。因此,最后的结果很 可能将比预期的 200 亿美元来的高。

另外,因为 NAND Flash 及 DRAM 的市场需求强劲,韩国存储器大厂 SK 海力士预期也将在 2018 年增加资本支出至 115 亿美元,较 2017 年的 81 亿美元成长 42%。

而 SK 海力士在 2018 年增加的资本支出,将主用于在韩国清州两家大型存储器工厂的建置工作上。另外,还要扩大中国无锡的 DRAM 工厂。清州工厂在 2018 年年底前将开始兴建,而中国无锡 DRAM 厂的扩建,也计划在2018年年底前动工,这时间将比原计划的 2019 年初开工要早几个月。

在2017年之前,全球半导体资本支出高峰出现在2011年,当年资本支出为674亿美元。2017年资本支出达到900亿美元,同比增长34%,其中三星(242亿美元)贡献最多,扣除三星全行业增长为18%,因此IC Insights称之为“三星泡沫”。IC Insights将2018年资本支出增长的原因归结为“中国效应”,近期长江存储、华力、中芯国际等纷纷搬入设备,算是一个注脚。不过不少行业人士也表示,2018年入场的设备,多数都被计入到2017年营收。这一轮扩产周期制造厂商相对比较激进,未来市场能否消化释放出的产能尚待观察,从设备业角度来看,多对当前行情持谨慎乐观态度,有厂商预测2019年资本支出应该会有较大收缩。

本文综合自Technews、Techsugar报道


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