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山西中科潞安紫外光电项目投产,首期年产3000万颗UV LED芯片

2019/6/3 16:15:53      材料来源:集微网

近日,山西省半导体产业联盟授牌仪式、中科潞安半导体技术研究院落成典礼暨中科潞安深紫外LED项目投产仪式在中科潞安紫外光电科技有限公司举行。

山西中科潞安紫外光电科技有限公司官微显示,中科潞安深紫外LED项目分两期建设,总投资约20亿元。其中,一期工程为年产3000万颗紫外LED芯片项目,投资5.4亿元;二期工程为年产2亿颗紫外LED芯片项目,投资15亿元。

中科潞安紫外光电科技有限公司董事长李晋闽表示,该项目于2018年12月完成项目的核心建设,经过5个月的调试运转和工艺验证,项目产线设备状态和生产能力稳健提升和完善,并于2019年5月30日正式投产。

此外,李晋闽还表示,未来随着设计的年产3000万颗深紫外LED的产能逐步释放至满产,将启动更大规模的亿颗深紫外LED芯片的二期建设,逐步规划对接资本市场。

会上,由中科潞安紫外光电科技有限公司、中科潞安半导体技术研究院等半导体相关“产学研用”单位组建的山西省半导体产业联盟正式揭牌,中科潞安半导体技术研究院也正式落成。


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