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SSLCHINA & IFWS2019丨衬底、外延及生长装备(SiC 和GaN)技术论坛即将召开

2019/11/8 17:39:00     

一、会议简介

碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)是重要的第三代半导体材料,在大功率高频器件中具有重要的应用,其材料水平直接决定了器件的性能。其材料技术已成为全球高技术领域竞争战略制高争夺点。

2019年11月25-27日,第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。

作为论坛的重要组成部分,本届“衬底、外延及生长装备”分会主题涵盖碳化硅和GaN生长材料、衬底、同(异)质外延薄膜、测试表征和相关的设备,将特别邀请国内外知名专家参加,对SiC和GaN从机理到工业化进程进行系统的探讨。

其中,北京大学物理学院教授, 理学部副主任沈波,山东大学教授,晶体材料国家重点实验室副主任徐现刚, 日本电力中央研究所坂田修身,德国ORCHESTRA总裁Guido COLOMBO, 美国亚利桑那州立大学助理教授鞠光旭,美国Aymont Technology Inc总裁Larry B. Rowland,俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师Andrey SMIRNOV,美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官Ismail I. KASHKOUSH等来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表齐聚一堂,分享前沿研究成果。

时间:2019年11月26日下午14:00-17:30

地点:深圳会展中心•五层菊花厅

分会组织机构

主办单位:

国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)

 

第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)

协办单位:

中微半导体设备(上海)股份有限公司

二、嘉宾简介

 

三、会议日程

 

P201:衬底、外延及生长装备(SiC 和GaN)/ The Technology in Substrate, Epitaxy and Wafer Growth Equipment (SiC & GaN)

时间:2019年11月26日下午14:00-17:30

地点:深圳会展中心•五层菊花厅

Time: Nov 26th, 2019 Afternoon 14:00-17:30

Location: Shenzhen Convention and Exhibition Center • 5th Floor Rose Hall 1

主持人

Moderator

沈波/ SHEN Bo

北京大学物理学院教授, 理学部副主任/Professor & Deputy Director, Division of Sciences, Peking University

徐现刚/XU Xiangang

山东大学教授,晶体材料国家重点实验室副主任/ Professor & Deputy Director of State Key Laboratory of Crystal Material of Shandong University 

Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film

坂田修身    日本电力中央研究所教授

Osami SAKATA    National Institute for Materials Science (NIMS),Japan

In situ coherent x-ray studies of surface dynamics during OMVPE of GaN

鞠光旭    美国亚利桑那州立大学助理研究员教授

Guangxu JU      Assistant Research Professor of Arizona State University, USA

Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN Metal Organic Vapor Deposition

Andrey SMIRNOV    俄罗斯STR Group, Inc.资深研发工程师

Andrey SMIRNOV    Senior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia

The effect of n-p electrodes upon the p-type conductivity of B0.375GaN/B0.45GaN QW/QB edge emitting laser diode grown over sapphire substrate

Mussaab I. NIASS    郑州大学

Mussaab I. NIASS    Zhengzhou University

INDUSTRY4.0 as A Major Opportunity for Electronics Processes and Products

Guido COLOMBO    德国ORCHESTRA总裁

Guido COLOMBO    President & CEO of ORCHESTRA, Germany

茶歇/Coffee Break

Interrelationship Between Equipment and PVT Crystal Growth in Silicon Carbide 

Larry B. Rowland    美国Aymont Technology Inc总裁

Larry B. Rowland    CEO of Aymont Technology Inc., USA

Advanced Chemical Concentration Control for Fabrication of Devices Using SiC

Ismail I. KASHKOUSH    美国NAURA-Akrion, Inc.首席技术官

Ismail I. KASHKOUSH    Chief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA

The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes

林伟    厦门大学副教授

LIN Wei    Associate Professor of Xiamen University, China

Investigation of Defect Levels of Al/Ti 4H-SiC Schottky Structures by

Deep Level Transient Spectroscopy

何亚伟    中科院半导体所

HE Yawei    Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

注:详细会议日程以现场实际为准

四、参会报名

张女士

M: 13681329411 

E: zhangww@china-led.net 

贾 先生 
       M: 18310277858 

E: jiaxl@china-led.net

许 先生 
       M: 13466648667 

 

E: xujh@china-led.net


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