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Transphorm携手Microchip推进氮化镓技术应用

2020/7/30 12:24:36     

 

Transphorm携手Microchip推进氮化镓应用,

整合一流氮化镓和数字信号处理技术


融合dsPIC®DSC Fast Tracks电源系统开发技术的4kW PFC GaN评估板,可获得全球技术支持。


设计和制造高可靠性、并率先获得JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓(GaN)功率半导体器件的领先公司Transphorm Inc.近日宣布与领先的微控制器供应商Microchip Technology Inc. 达成合作。此次合作将搭载Microchip的dsPIC33CK数字信号控制器的评估板和使用了Transphorm最新第四代GaN技术(即SuperGaN™产品)的4kW AC-DC无桥式图腾柱功率因数校正(PFC)评估板集成为一体。

这套集成解决方案建基于Transphorm的应用支持能力,Microchip全球技术支持团队也将为使用该方案的开发者提供服务。因此,客户现在可以使用一个效率超过99%且具备现成的预编程固件的评估板,并能够得到全球性的支持,从而进一步简化了AC-DC电源系统的设计。

  

Transphorm全球技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示:“Transphorm与Microchip的合作将改变游戏规则。应用无桥式图腾柱功率因数校正方案的GaN电源系统的控制要求不同于传统的CCM模式PFC拓扑,长期以来对某些ODM而言总是一项全新挑战。如今,两家行业领先企业合作缩小了这道知识鸿沟。我们正在向客户提供这套由世界一流全球支持团队支持的颠覆性GaN解决方案。” 

 

产品特点及规格

 

Microchip的dsPIC数字信号控制器(DSC)拥有一系列嵌入式设计工具的支持,这些工具旨在为开发人员(甚至是那些专业信息受限的开发人员)提供支持。这些工具提供了直观的图形用户界面,用于在Microchip免费的MPLAB X集成开发环境中进行器件初始化。这些软件工具,还有一整套编程器、调试器和仿真器附件。

 

 

这套集成DSC的解决方案应用在Transphorm的TDTTP4000W066C-KIT中,有以下特点:
 

  •  SuperGaN™ 650V 35mΩ GaN FET (TP65H035G4WS)
  •  输入电压:85VAC-265VAC, 47Hz-63Hz
  •  输入电流:有效值18A,在115VAC下功率为2kW,在230VAC下功率为4kW   
  •  输出电压:387VDC ± 5VDC (可编程)
  •  死区/停滞时间:可编程
  •  PWM频率:66kHz
  •  功率因数:> 0.99


这套评估板是针对Microchip的dsPIC33CK数字电源插接模块(PIM)设计,以控制PFC供电系统。该套件包括一个预编程的PIM,特点有:
 

  •  通过AEC-Q100认证的Microchip dsPIC33CK256MP506数字信号控制器
  •  100MIPS,可以在时间要求苛刻的控制应用中提供更快的确定性性能
  •  两个屏幕 - 帮助在正常供电期间进行代码的实时更新
  •  高集成度模拟,可降低BOM成本,并实现最小的系统尺寸
  •  PWM精度为250ps


可以从Microchip网站下载dsPIC33CK PIM的固件更新。

 

Microchip的MCU16产品线副总裁Joe Thomsen说:“Microchip的dsPIC DSC旨在满足更新型的数字电源拓扑相关的苛刻控制需求。我们很荣幸能与志同道合的行业颠覆者Transphorm一起合作,向我们的客户提供这套包含Transphorm的已被行业认可的GaN器件的参考设计。我们的dsPIC33CK PIM将向工程师提供许多设计人员在其大功率解决方案中所需的灵活性和全球支持。”

  

如何购买?

 

经得捷电子和贸泽电子可购买TDTTP4000W066C-KIT。
目前使用上一代评估板TDTTP4000W066B-KIT的Transphorm客户可以联系Transphorm更换子卡,从而配合使用集成的dsPIC33CK PIM。 

 


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