研发报告
总数:207 现显示第10页,共11页
 第一页  上一页   下一页   最后一页 
砷化镓薄膜太阳能电池效率提升至28.4% 2011-11-10
该太阳能电池效率提升的关键并非是让其吸收更多光子而是让其释放出更多光子,未来用砷化镓制造的太阳能电池有望突破能效转化记录的极限。
美国科学家发现氮化镓材料的无毒性和生物兼容性 2011-11-4
最近的研究发现已经显示,氮化镓可以用于建造电极以使用在治疗阿尔兹罕默氏病的神经刺激疗法中,以及用于监控血液化学过程的晶体管。
美国制造出自然界没有的全新晶体 2011-10-17
美国西北大学开发出一种新方法,将纳米粒子作为“原子”,DNA作为“化学键”,按照某些自然界晶体中的原子晶格方式来制造晶体,能制出甚至原先在自然界没有的全新晶体
碳纳米管可以像切蛋糕那样轻松测量太赫兹激光功率... 2011-10-8
美国国家标准与技术研究院(NIST)的研究人员发现,几乎所有密集阵列超长碳纳米管都可以吸收长波长光线,从而有望成为测量太赫兹激光功率的原型检测器有前途的涂料
用于LED制造的金属有机物前躯体 2011-9-27
在美国加州Santa Clara 于2011年2月22-24日召开的照明战略(SL)会议上,SAFC Hitech公司的首席技术执行官Ravi Kanjolia曾提到了金属有机物(MO)材料的供应问题以及化合物半导体制造商目前所采用...
高性能氮化镓晶体管研制成功 2011-9-23
法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在(100)-硅(晶体取向为100)基座上,成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管(HEMT)。
采用自立式 a-平面衬底来提高HFET的性能 2011-9-22
在一个已商品化的原始 a-平面衬底上制作的增强型 GaN HFET其漏极电流强度可达220 mA/mm
四元阻挡层减少紫外光发光二极管之电流骤降 2011-9-21
藉由更换紫外光 LED的阻挡层从氮化铝镓 (AlGaN) 成为铟铝氮镓( InAlGaN),一个台湾团队成功地在高驱动电流的组件效率下减低骤降效果。
物理所合作研究发现基于III-V族半导体的新型稀磁体... 2011-9-20
随着信息存储密度迅猛增长,为突破摩尔定律瓶颈需要发展新的信息存储载体。在制作和研发工艺成熟的半导体中注入自旋,形成兼具电荷属性和自旋特性的稀磁半导体,成为解决这个关键问题最可能的突破...
美发明纳米管固态超级电容器 2011-9-20
据美国物理学家组织网近日报道,莱斯大学研究人员发明了一种以纳米管为基础的固态超级电容器。它有望集高能电池和快速充电电容器的最佳性质于一个装置中,以适合极限环境下使用。
俄歇机制引起LED发光效率的降低 2011-9-6
来自美国加州大学Santa Barbara分校(UCSB)的chris Van de Walle团队,通过计算发现两种形式的间接俄歇复合机制是引起LED发光效率降低的主要原因。
在硅上生长的InGaN长波长LED器件问世 2011-8-18
RSL希望在未来的2-3年对其硅基氮化銦鎵技术进行产业化,然后继续在200mm的硅衬底上开发生长工艺。
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列... 2011-10-19
在核探测器研究方面,成功制备出GaN基PIN结构X射线探测器,在X射线辐照下的光电流与暗电流之比高达27.7,并对实验过程中观测到的两步电流增长机制给出了模型解释。
美研制出能在室温工作的石墨烯变频器 2011-9-20
据美国物理学家组织网9月7日的报道,美国科学家首次制造出能在室温下工作的石墨烯变频器,克服了用石墨烯制造电子设备时的重要障碍——能带隙...
氮极HEMT正在赶超传统技术 2011-9-16
在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的氮极HEMT在4GHz频率时可获得与传统镓极HEMT相当的功率密度。
Imec采用填孔方法开发新SiGe 2011-8-29
采用填孔方法的简化技术降低了硅锗加工操作的昂贵成本和复杂性,有助于IC制造商降低成本和缩短周期时间
美国NIST测试结果显示碳纳米管元件存在可靠性问题... 2011-8-24
美国国家标准与技术研究院的研究人员近日通过测试发现,碳纳米管元件的可靠性会是一个大问题。
美研制出新型半固态液流电池 2011-8-24
美国麻省理工学院的科学家研制出了一种新型半固态液流电池,其成本仅为现有电动汽车所用电池的三分之一,但却能让电动汽车一次充电的行驶里程加倍。
金纳米层可改善太阳能电池转换效率 2011-8-22
在太阳能的世界,有机光电太阳能电池具有广泛的潜在应用,不过它们至今仍被认为是处于起步阶段。这些用有机高分子或小分子作为半导体的碳基电池虽然比利用无机硅片制作的常规太阳能电池更薄且生产...
美国科学家制成兼具电学光学性质的光子晶体 2011-8-4
美国科学家研发出了一种新方法,改变了半导体的三维结构,使其在保持电学特性的同时拥有了新的光学性质
总数:207 现显示第10页,共11页
 第一页  上一页   下一页   最后一页