研发报告
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在硅上生长的InGaN长波长LED器件问世 2011-8-18
RSL希望在未来的2-3年对其硅基氮化銦鎵技术进行产业化,然后继续在200mm的硅衬底上开发生长工艺。
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列... 2011-10-19
在核探测器研究方面,成功制备出GaN基PIN结构X射线探测器,在X射线辐照下的光电流与暗电流之比高达27.7,并对实验过程中观测到的两步电流增长机制给出了模型解释。
美研制出能在室温工作的石墨烯变频器 2011-9-20
据美国物理学家组织网9月7日的报道,美国科学家首次制造出能在室温下工作的石墨烯变频器,克服了用石墨烯制造电子设备时的重要障碍——能带隙...
氮极HEMT正在赶超传统技术 2011-9-16
在蓝宝石衬底上用MOCVD生长的氮极HEMT在4GHz频率时可获得与传统镓极HEMT相当的功率密度。
Imec采用填孔方法开发新SiGe 2011-8-29
采用填孔方法的简化技术降低了硅锗加工操作的昂贵成本和复杂性,有助于IC制造商降低成本和缩短周期时间
美国NIST测试结果显示碳纳米管元件存在可靠性问题... 2011-8-24
美国国家标准与技术研究院的研究人员近日通过测试发现,碳纳米管元件的可靠性会是一个大问题。
美研制出新型半固态液流电池 2011-8-24
美国麻省理工学院的科学家研制出了一种新型半固态液流电池,其成本仅为现有电动汽车所用电池的三分之一,但却能让电动汽车一次充电的行驶里程加倍。
金纳米层可改善太阳能电池转换效率 2011-8-22
在太阳能的世界,有机光电太阳能电池具有广泛的潜在应用,不过它们至今仍被认为是处于起步阶段。这些用有机高分子或小分子作为半导体的碳基电池虽然比利用无机硅片制作的常规太阳能电池更薄且生产...
美国科学家制成兼具电学光学性质的光子晶体 2011-8-4
美国科学家研发出了一种新方法,改变了半导体的三维结构,使其在保持电学特性的同时拥有了新的光学性质
科学家发现最薄单层石墨烯 有望制造未来芯片 2011-8-4
一种超薄的单层石墨烯物质,有望被用作电脑和手机等未来电子产品中的芯片制作材料,从而来提高这些电子产品的运行速度。
美国制出电子态超纯砷化镓 2011-8-4
美国科学家成功制造出了超纯的砷化镓,并让其呈现出某种特殊的状态,在这种状态下,电子不再遵守单粒子的物理学法则而被它们之间的相互作用(由量子力学法则来解释)所掌控
石墨+水=未来能量存储 2011-7-21
结合两种普通材料石墨和水,制成能量存储系统,性能可媲美锂离子电池,但充电只需几秒钟,并有几乎无限期的使用寿命。
日开发出制作有机半导体单晶薄膜的新技术 2011-7-20
研究人员使用一种含有有机半导体C8-BTBT的墨水和一种促进有机半导体结晶化的墨水,先后进行喷涂,解决了半导体涂层不均匀的问题。用新技术制成的有机半导体单晶薄膜不仅半导体涂层非常均匀,厚度...
英开发出低成本塑料太阳能电池 2011-7-7
英国科学家的一项最新研究或能加速塑料太阳能电池的应用步伐,使其在5年到10年内实现商用。
Imec开发出用于纳米线晶体管的载流子分析的方法 2011-7-5
Imec的研究人员已经开发了在受限三维尺寸下定量地确定活性掺杂的方法。这对于更加深入理解基于半导体纳米线的晶体管无疑是重要的一步。
清华大学发表研究成果:三维观察纳米材料 2011-7-5
清华大学安迪教授在《科学》周刊上发表研究成果:三维观察纳米材料
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