研发报告
总数:175 现显示第8页,共9页
 第一页  上一页   下一页   最后一页 
四元电障层减少紫外光发光二极管的电流骤降 2012-1-12
InAlGaN电障层以高电流密度增强紫外光LED输出
德国研制出高速CMOS图像传感器 2012-1-11
德国弗劳恩霍夫研究所研制出的一种新型光电组件能加速读出过程,催生出更佳的图像质量。目前该技术已申请了专利,有望于明年正式投入生产。
美国开发出砷化镓新蚀刻法 2012-1-11
美国伊利诺大学实验室开发出一种以金属为蚀刻催化剂的砷化镓晶圆蚀刻法,这种蚀刻方法,其制造速度较传统的湿式蚀刻制程来得快、而成本又较干式蚀刻来得低
SuVolta于2011年IDEM会议发布Deeply Depleted Cha... 2012-1-10
先进器件技术实现突破性功耗降低以及CMOS微缩
新工艺降低太阳能电池成本 2012-1-6
一种新颖的方法可以制备薄薄的均匀涂层,这是莱斯大学(Rice University)开发的,可以降低传统硅太阳能电池的成本,并可以开辟道路,制备新型太阳能电池,这种电池更高效更便宜,胜过传统电...
郑州大学首次制备出新型近红外发光二极管 2011-12-14
郑州大学物理工程学院教授李新建研究组从半导体异质结的发光原理出发,在国际上首次提出一种新的NIR LED发光机理和器件设计理念,制备出GaN/Si纳米异质结构近红外发光二极管,为近红外二极管的设...
Roth&Rau 156mm硅片效率达21% 2011-12-8
Roth Rau的太阳能电池实现了21%的效率。该156mm单晶硅片基于异质结(HJT)技术,于今年九月在汉堡举行的欧盟光伏太阳能展会上首次亮相,当时效率额定值为20%。
新材料为柔性太阳能电池铺路 2011-11-10
这种由美国加州大学圣塔芭芭拉分校的一个科研组研制的太阳能电池的能源效率是6.7%,可与目前性能最好的聚合体太阳能电池相媲美。大部分聚合体电池的能源效率在6%到8%之间。
砷化镓薄膜太阳能电池效率提升至28.4% 2011-11-10
该太阳能电池效率提升的关键并非是让其吸收更多光子而是让其释放出更多光子,未来用砷化镓制造的太阳能电池有望突破能效转化记录的极限。
美国科学家发现氮化镓材料的无毒性和生物兼容性 2011-11-4
最近的研究发现已经显示,氮化镓可以用于建造电极以使用在治疗阿尔兹罕默氏病的神经刺激疗法中,以及用于监控血液化学过程的晶体管。
美国制造出自然界没有的全新晶体 2011-10-17
美国西北大学开发出一种新方法,将纳米粒子作为“原子”,DNA作为“化学键”,按照某些自然界晶体中的原子晶格方式来制造晶体,能制出甚至原先在自然界没有的全新晶体
碳纳米管可以像切蛋糕那样轻松测量太赫兹激光功率... 2011-10-8
美国国家标准与技术研究院(NIST)的研究人员发现,几乎所有密集阵列超长碳纳米管都可以吸收长波长光线,从而有望成为测量太赫兹激光功率的原型检测器有前途的涂料
用于LED制造的金属有机物前躯体 2011-9-27
在美国加州Santa Clara 于2011年2月22-24日召开的照明战略(SL)会议上,SAFC Hitech公司的首席技术执行官Ravi Kanjolia曾提到了金属有机物(MO)材料的供应问题以及化合物半导体制造商目前所采用...
高性能氮化镓晶体管研制成功 2011-9-23
法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在(100)-硅(晶体取向为100)基座上,成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管(HEMT)。
采用自立式 a-平面衬底来提高HFET的性能 2011-9-22
在一个已商品化的原始 a-平面衬底上制作的增强型 GaN HFET其漏极电流强度可达220 mA/mm
四元阻挡层减少紫外光发光二极管之电流骤降 2011-9-21
藉由更换紫外光 LED的阻挡层从氮化铝镓 (AlGaN) 成为铟铝氮镓( InAlGaN),一个台湾团队成功地在高驱动电流的组件效率下减低骤降效果。
物理所合作研究发现基于III-V族半导体的新型稀磁体... 2011-9-20
随着信息存储密度迅猛增长,为突破摩尔定律瓶颈需要发展新的信息存储载体。在制作和研发工艺成熟的半导体中注入自旋,形成兼具电荷属性和自旋特性的稀磁半导体,成为解决这个关键问题最可能的突破...
美发明纳米管固态超级电容器 2011-9-20
据美国物理学家组织网近日报道,莱斯大学研究人员发明了一种以纳米管为基础的固态超级电容器。它有望集高能电池和快速充电电容器的最佳性质于一个装置中,以适合极限环境下使用。
俄歇机制引起LED发光效率的降低 2011-9-6
来自美国加州大学Santa Barbara分校(UCSB)的chris Van de Walle团队,通过计算发现两种形式的间接俄歇复合机制是引起LED发光效率降低的主要原因。
在硅上生长的InGaN长波长LED器件问世 2011-8-18
RSL希望在未来的2-3年对其硅基氮化銦鎵技术进行产业化,然后继续在200mm的硅衬底上开发生长工艺。
总数:175 现显示第8页,共9页
 第一页  上一页   下一页   最后一页