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IMEC 首次展示了小于10奈米锗的周围匣极装置

     

IMEC 首次展示了小于10奈米锗的周围匣极装置

日本,京都 – 2017年6月8日 – 奈米电子与数字科技领域的全球研究与创新先驱

─比利时微电子研究中心(imec),在本周的全球2017超大规模集成电路技术及电路研讨会(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上揭开了下一代装置的新流程改进,首次展示了直径小于10奈米、定标应变锗p-通道周围匣极(GAA)场效晶体管,整合在300毫米的平台上,此外,在用于锗p-通道鳍式晶体管(FinFET)和周围匣极(GAA)装置的装置表现和以高压退火处理(HPA)的静电控制,与研究中心取得了显著的进步。

由于其较高的本质载子移动率,高移动率材料如锗和三五(III-V)已被认为是深度定标装置的潜在解决方案,然而这些材料具有比硅更大的介质系数和更小的能隙,使得欲以定标闸极长度施加必要的静电控制更为困难,为了减轻这个问题,需要有更佳静电的新装置架构,比利时微电子研究中心的成果对于应变锗p-通道鳍式晶体管(FinFET)和周围匣极(GAA)装置,都会带来显著的改进。

比利时微电子研究中心杰出的技术人员Nadine Collaert表示她的团队:「适应了我们之前发表的14/16奈米节点应变锗p-鳍式场效晶体管(FinFET)操作流程,以学习在短闸极长度和直径小于10奈米内的应变锗周围匣极(GAA)p-FET的优点。」,该团队成功处理了目前为止的最短闸极长度(LG = 40奈米)和最小纳米线直径(d = 9奈米)的周围匣极(GAA)p-FET, 在这些最短闸极长度之内,该装置能保持30mV/V信道能障降低效应和79mV/dec次临限斜率的卓越静电控制。

在第二篇论文中,比利时微电子研究中心报告了使用高压退火处理(HPA)作为锗鳍式晶体管(FinFET)和周围匣极(GAA)装置的新型性能推进器,在测试中,研究人员测量了接口质量的改良和450℃下高压退火处理(HPA)结果的孔移动率(〜600cm 2 / Vs),优化的高压退火处理(HPA)还显示出可显著增进周围匣极(GAA)装置的静电和整体表现,在LG = 60奈米时达到65 mV / dec的SSLIN,在3×10-9 A/μm的低IOFF值达到质量因素15。

比利时微电子研究中心与其核心CMOS(互补金属氧化物半导体)计划方案的主要合作伙伴合作进行对于高阶逻辑定目标研究,包括格罗方德GlobalFoundries、华为Huawei、英特尔Intel、美光科技Micron、高通Qualcomm、三星电子Samsung、SK海力士SK Hynix、索尼Sony和台积电TSMC。

 

 比利时微电子研究中心在奈米电子与数字科技领域为世界顶尖的研究与创新先驱。我们在微芯片科技备受称誉的领先地位,以及软件与资通讯科技的专业,是我们脱颖而出的关键。透过世界一流的基础设施,以及在地与全球生态系中各领域伙伴的协助,我们得以在医疗、智慧城市与智慧行动、物流与制造和能源等领域不断突破与创新。

比利时微电子研究中心是许多企业、新创公司与大学信任的合作伙伴,并网罗来自全球超过 75 国、近 3,500 位优秀人才。比利时微电子研究中心总部设立于比利时鲁汶,并于多所法兰德斯区大学、荷兰、台湾、美国、中国等地设有研发团队,于印度与日本设有办公室。比利时微电子研究中心于 2016 年度的营收(根据损益表)总额为 4.96 亿欧元。欢迎前往:www.imec-int.com,进一步了解比利时微电子研究中心

比利时微电子研究中心(Imec)是 IMEC International(根据比利时法律设立为「公益基金会」之法律实体)、imec Belgium(获得法兰德斯政府支持的 IMEC 非营利组织)、imec the Netherlands(IMEC Nederland 基金会,属于霍尔斯特中心的一部分,并受到荷兰政府支持)、imec Taiwan(台湾爱美科股份有限公司)、imec China(IMEC 微电子(上海)有限公司)、imec India(IMEC 印度私人有限公司)及 imec Florida(IMEC 美国奈米电子设计中心)旗下活动使用之注册商标。

 

 

IMEC达成了最低纪录的PMOS晶体管源极/ 汲极接触电阻率

日本,京都 – 2017年6月8日 – 奈米电子与数字科技领域的全球研究与创新先驱

─比利时微电子研究中心(imec),在本周的2017全球超大规模集成电路技术及电路研讨会(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上报告了破纪录数值:低于10^-9 Ohm.cm²的PMOS源极/ 汲极接触电阻率,这些成果是透过以后续脉冲奈秒雷射退火,在p-硅锗(p-SiGe)源极/ 汲极接触点植入浅镓所获得的。

在未来的N7 / N5节点中,晶体管的源极/ 汲极接触面积变得非常小,使得接触电阻有可能成为主要的寄生因素,导致晶体管功能欠佳,因此,研究人员一直致力于降低高掺杂n-Si和p-SiGe源极/ 汲极接触点的接触电阻的技术,目标值为低于10 ^ -9Ohm.cm²,与荷兰语天主教鲁汶大学(比利时)、复旦大学(中国上海)和应用材料(美国桑尼维尔)的合作伙伴一起,比利时微电子研究中心的专家们专注于p-SiGe接触,比较高剂量硼和镓掺杂的效果。

为了比较,研究人员将高剂量的镓或硼植入SiGe单独芯片并且应用了各种制程退火,然后他们制造了对接触电阻高度敏感的多环循环传输线模型构造,后续测量展示了以应用材料公司的奈秒雷射退火的镓植入构造的最低接触电阻,此制程独特地导致了Ge / Ga的表面偏析,造成了超低10^-9 Ohm.cm²的接触电阻率,该成果展示了处理新一代技术节点的可能方式。

比利时微电子研究中心杰出的技术人员Naoto Horiguchi指出:「这一项我们寻求为新一代深度定标CMOS(互补金属氧化物半导体)开发解决方案的突破性成就,提供了在N7 / N5节点中使用目前的源极/ 汲极方案,以进一步提升表现的一个可能途径。」

比利时微电子研究中心与其核心CMOS(互补金属氧化物半导体)计划方案的主要合作伙伴合作进行对于高阶逻辑定目标研究,包括格罗方德GlobalFoundries、华为Huawei、英特尔Intel、美光科技Micron、高通Qualcomm、三星电子Samsung、SK海力士SK Hynix、索尼Sony和台积电TSMC。


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