研发报告详细内容

GaO的通道迁移率胜过SiC

     

来源:半导体行业观察

据初创公司Flosfia报道说,在常关配置下,其氧化镓(GaO)功率半导体的性能优于碳化硅(SiC)。

Flosfia Ltd.(日本东京)成立于2011年,是将刚玉结构的氧化镓(α-Ga2O3)用作功率半导体的先驱。该公司表示,在常关操作中,其沟道迁移率达到了72cm2/Vs,而碳化硅为30cm2/Vs。

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然而,其他功率半导体可能需要施加功率来关闭晶体管,而这种技术在没有电压施加到栅极时就会关闭——这种特性很重要,适用于安全系统的功率晶体管。

Flosfia通过器件仿真计算了600V至1200V耐压的GaO MOSFET的特性导通电阻,发现导通电阻约为市售SiC的50%或更小。

Flosfia已与Hakuto和Kyoei Sangyo签署了协议,两家公司将作为分销商处理刚玉型氧化镓功率器件。


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