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III-V Epi:对速度的需求

      材料来源:化合物半导体

最近成立的英国代工服务提供商III-V Epi打算加速激光器、HEMT等外延结构制造。Rebecca Pool与首席技术官Richard Hogg进行了交谈,以了解详细情况。


今年7月,III-V Epi公司成立,旨在尽快将新的III-V器件推向市场。这家新公司由来自Gas Sensing Solutions、量子技术中心、Quantic和格拉斯哥大学的英国行业资深人士领导,已经为世界各地的商业公司和研究机构提供了各种倚赖MBE和MOCVD的晶圆代工服务。

 

III-V Epi的MBE和MOCVD外延结构正被用于激光器、LED、光电探测器、HEMT等领域。迄今为止,主要客户包括一家亚洲科技巨头、英国初创公司、Vector Photonics、激光设备供应商、国防组织和几所大学——不久将有更多这样的客户。

 

 

来自III-V Epi和格拉斯哥大学的Richard Hogg。


“我自己和同事过去曾一起工作,成立该公司是一个自然的过程——我们相信这里有大量未满足的中小批量晶圆生产需求。”III-V Epi首席技术官、格拉斯哥大学电子和纳米工程系主任、Vector Photonics科学顾问委员会主席Richard Hogg断言。

 

“过去,III-V Epi的所有合作伙伴都在制造外延片时遇到了问题,因为 代工厂忙于制造数十万个用于手机、鼠标或数据通信应用的VCSEL,”他说,“但是一旦你做的是iPhone或三星手机中没有的应用程序,你的产量就会下降,你可能只需要十几个晶圆——所以我们专注于中低产量和原型III-V外延结构的器件应用。”

 

目前,III-V Epi正在使用两个MBE系统和两个MOCVD反应器,每台仪器处理2到4英寸的晶圆。最近开发的结构包括980 nm VCSEL、GaAs 衬底上的锑化物光电探测器、新型多色LED和Vector Photonics的光子晶体表面发射激光器(PCSEL)。该公司经常在基于InP和GaAs的系统中进行再生长,而其InP分布式反馈(DFB) MOCVD再生长工艺已可用于1310 nm DRB激光器。

 

另一方面,III-V Epi最近为一个合作伙伴进行了霍尔效应测量,该合作伙伴在一个新投入使用的反应堆上制造了器件。III-V Epi还在与英国其他大学合作,开发生产知识产权和商业化的途径。

 

目前,III-V Epi正坚定地坚持使用锑化物、砷化物和磷化物材料,但未来可能会推出其他材料系统。“现在三种原子对我们来说已经够忙的了,”Hogg笑着说,“但我们总有可能扩展到氮化物或更奇特的材料。”

 

从概念到结构


在典型情况下,III-V Epi将花一些时间与客户合作,以确定一个精确的器件设计。例如,这可能涉及将软件模拟转换为具有指定层和容差的现实设计。

 

“我们可能会问,你真的想要第17层的容差吗?客户可能会说不需要,但这对第22层至关重要。”Hogg解释说。据CTO称,这个过程可能需要时间,但一旦确定最终设计,公司通常会在八到十周内制造出必要的结构。

 

III-V Epi目前有两名工程师负责其MBE系统,四名工程师负责其MOCVD 反应器,它们存在于III-V Epi三个合作机构中,Hogg认为这种设置在英国可能是独有的。“我们有这种混合使用的情况,我们同时拥有MBE和MOCVD功能,但它们都不在大学建筑内,”他说,“与III-V Epi合作伙伴合作的许多工程师都来自格拉斯哥大学,合作是有意义的——我们有很多关于制造的知识,我们可以将这些知识与我们的研发结合起来。”

 

最近几周,III-V Epi公司加入了欧洲光子学产业联盟(EPIC),公司的发展也在预期之中。现在还在早期,但Hogg和同事们预计对他们所能制造的材料系统会有强劲的需求,并且预计在某个时候会招募高技能的工具操作员和工具设置员来提高产量。

 

“我们的快速周转时间在目前是至关重要的,”Hogg说,“如此多的化合物半导体产能被绑在几家大公司身上,在任何地方获得闲置产能都非常困难。”

 

“我们希望能够通过让操作员通宵运行我们的工具来提高产量,这样我们就可以全天候生产。”他补充道。

 

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