美国开发出砷化镓新蚀刻法

美国伊利诺大学实验室开发出一种以金属为蚀刻催化剂的砷化镓晶圆蚀刻法，这种蚀刻方法，其制造速度较传统的湿式蚀刻制程来得快、而成本又较干式蚀刻来得低，一旦该制程获得推广，可望有效推进用以生产太阳能砷化镓产品的商业应用技术。
　　
　　砷化镓晶圆被应用在制造射频元件、太阳能电池，由于其较矽材料更佳的电子移动速率，在高频率应用的效能上较矽来得更佳。不过，砷化镓材料易破碎的结构，使得过去对砷化镓晶圆的蚀刻，多半只能采用蚀刻时间需时较长的湿制程，也拉长了砷化镓晶圆产业的制造周期。
　　
　　而美国伊利诺大学开发出的金属辅助化学蚀刻(Metal-assisted chemical etching,MAC Etch)技术，是将一片已刻妥晶圆表面欲蚀刻图像的金属薄膜，覆盖在砷化镓晶圆上，然后将砷化镓晶圆浸入MAC Etch蚀刻溶液当中。由于有金属作为催化剂，被金属所覆盖、接触的晶圆表面，遭蚀刻的速度将较没有被覆盖的部份来得快，从而达成差分蚀刻(differential etching)的目的。
　　
　　值得注意的是，有别于传统半导体制程采用光罩制程来刻划晶圆所需的结构图像，伊利诺大学的实验室采用了软光刻(soft lithography)制程，制造出用以覆盖在砷化镓晶圆表面的金属薄膜。这种制程省去了高昂的光罩设备成本，因此亦可有效降低金属辅助化学蚀刻制程的总体成本。
　　
　　不过相对地，受限于该制程技术目前仅能进行垂直结构蚀刻，仅适于制造“剑山”型态的晶圆表面结构，因此技术推广初期，主要将应用于捕捉光线的太阳能砷化镓产品；惟该实验室目前亦积极提升技术，最终目的不仅要能生产各种形式的砷化镓结构，也希望能将该技术推广到其他III-V族化合物半导体的制程。