Denis Marcon - iMEC Sr.Business Development Mangager

发布：2021/7/5 17:32:20      作者：      时长：00:26:43      播放：834次

作品简介：今天，众所周知硅基氮化镓是一项突破性的电力电子技术。市场上已经出现了基于GaN技术的令人兴奋的新产品，并且基于GaN技术的新应用不断涌现。 Imec率先展示了在标准（非专用）硅产线中生产高性能 8英寸Si基GaN晶体管的可能性。如今，Imec拥有一个可靠的8英寸增强型硅基GaN晶体管平台，该平台在200V和650V开关电源应用的性能和可靠性方面得到了不断提高。
紧随其后的是，Imec还一直在开发下一代GaN技术，这些技术可实现更高的集成度（GaN-IC），并适用于更高电压范围（达到和超过1200V）。 关于GaN-IC，Imec开发了两个适用于200V和650V应用的GaN-IC平台。这样的平台允许设计GaN功率集成电路（IC），其中所有组件（例如半桥，驱动器，比较器，死区时间控制等）都集成到单个GaN芯片中。这项技术改变了GaN技术的局面，设计人员最终可以释放GaN技术的全部潜力，并在芯片上实现前所未有的复杂紧凑的功率IC系统。 如今，GaN在高达650V的应用中已被广泛接受，而更高的电压已成为SiC技术的领域。在Imec，我们正在通过使GaN技术达到1200V乃至更高的应用范围来改变这种局面。至今我们已经演示了1200V的GaN-on-QST外延技术，并已制定了路线图来演示1200V +应用的分立横向和纵向器件。 在这次演讲中，将首先回顾Imec的8英寸Si基 GaN增强型器件技术的现状。然后，我们将深入探讨Imec的GaN-IC技术，并举例说明使用该技术的可行性。最后，我们将展示Imec的8英寸1200V GaN-on-QST外延技术的最新成果，以及实现1200V +GaN技术应用的Imec路线图。