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台积电：已购入High-NA EUV光刻机，并积极进行相关研发

6月4日，台积电董事长暨总裁魏哲家在股东大会上，针对外界关注的问题作出解答，其中就包括台积电是否投入下一代High-NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻设备的询问。

魏哲家回应表示，外界误解台积电没有投资High-NA设备，事实上公司不仅已经采购设备，也正积极进行相关研发工作，现阶段虽尚未导入量产，后续待成本下降将会导入量产，公司对未来几年的营运成长依旧充满信心。

关于玻璃基板等先进封装技术进展，魏哲家指出，台积电已设有Pilot Line，预估仍需约2至3年时间，相关技术才会进入较大量生产阶段。他强调，先进封装与新材料技术发展没有捷径，重点在于与客户共同验证，并确保量产效率与良率表现。

此外，针对高端芯片产能布局，魏哲家表示，目前全球高端芯片需求依旧十分强劲，即使台积电持续扩建美国生产线，产能仍“远远不够”，而中国台湾依然会是台积电最核心、最大的生产基地。南京厂自导入16nm制程以来竞争力持续提升，即使如今成熟制程市场竞争加剧，南京厂也会不断进步。

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