技术文章
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改进氮化镓衬底减薄技术 2024-4-3
日本大阪大学(Osaka University)的工程师们宣称,他们利用氢基等离子体对氮化镓(GaN)衬底进行减薄的技术取得了新突破。
AI 助力化合物半导体行业新发展 2024-4-3
生成式AI最近在科技行业掀起了一股热潮,ChatGPT和EinsteinGPT等标志性产品吸引了开发者、企业和消费者的目光。
微射流激光技术基于大尺寸金刚石材料分片的研究 2024-3-26
金刚石在高频高压条件下具有广泛且不可替代的应用优势和前景,被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件最有希望的材料
射频声学滤波器技术的发展趋势 2024-3-26
射频声学滤波器是目前移动射频前端主流滤波器技术,包括声表面波和体声波滤波器技术。
用于冰光刻技术的80K低温实验台 2024-2-20
金竟科技公司自主研发的超低温冷台可实现IL(冰光刻)功能,且其性能优于该文提到的所设计低温冷台的性能。
简化SiC衬底生产 2024-2-19
一种突破性工具可在生产标准碳化硅晶碇时实现高精度
拓展深紫外LED的应用领域 2024-2-18
深紫外LED在医疗保健领域的应用正在取得巨大进展,并且在UVC和远UVC的输出功率、效率和寿命方面均有所提高
制造性能更好的蓝色和绿色激光器 2024-2-1
日亚化学(Nichia)成立于1956年,总部位于日本阿南市,是一家知名的化学材料、LED和激光二极管制造商。
SiC功率模块的液冷散热设计与节能分析 2024-1-25
为综合评估SiC功率模块的液冷冷板散热效果,设计了串联、并联与串并联三种冷板流道结构, 从器件温升、系统能效、散热性能三个方面共计10项指标评估了冷板性能
消除应用GaN的障碍 2024-1-22
随着 GaN 性能优势的确立以及 GaN HEMT 挑战的克服,现在是时候解决设计人员最关心的问题了,如价格、可用性和可靠性等
在氧化镓蚀刻方面表现突出 2024-1-17
随着快速发展,目前Ga2O3已经开始影响功率器件市场。由于从熔体中有机会制造出高质量的块状衬底,该类超宽禁带半导体可以以极具竞争力的成本实现器件的卓越性能。
化合物半导体材料的表征分析 2024-1-2
与当前市场上成熟且广泛应用的硅基半导体不同,化合物半导体是由三五族 (Group III and V)、二六族 (Group II and VI) 或同样来源于第四族 (Group IV) 的两个及以上元素组成的化合物。
全球首次采用垂直布里奇曼法(VB)成功制备6英寸β... 2023-12-26
全球首次采用垂直布里奇曼法(VB)成功制备6英寸β型氧化镓单晶
辉煌的栅极氧化物 2023-12-25
人们是否应该担心负栅压应力下 SiC 功率 MOSFET 的栅极氧化物的寿命?绝对不,现在实验表明,它们与在正栅极应力下的寿命一样长
拥护真正的重量级材料:释放Ga2O3的希望 2023-12-19
由于具有令人难以置信的禁带宽度、浅的施主能级,并且可以通过熔体法进行生长,Ga2O3 成为有史以来最有希望的电力电子器件材料。
电子束辐射导致的氮化硅降解及其对半导体失效分析... 2023-11-28
文章重点探讨了电子辐射对硅基氮化物的物理结构和材料成分影响,以及电子辐射对半导体芯片失效分析的潜在影响。
提高4.5kV IGBT模块的功率密度 2023-11-21
2020 年,三菱电机宣布推出额定电压3.3kV的HV100功率模块[1],采用X系列芯片组。如图1所示,HV100封装易于并联,换流杂散电感低,绝缘电压为10.2kV,具有很高的灵活性。该封装设计初衷是为了满足...
甲脒基光伏钙钛矿电池结晶新策略 2023-10-24
如果说能源利用问题是一场赛跑,那么太阳能电池效率就像是百米飞人大战,小数点后的每一个数字,都是科学家争夺的焦点。一直致力于新型钙钛矿太阳能电池研究的西湖大学团队,又一次在小数点后实现...
国家的财富:英国的国家外延设施 2023-9-27
英国国家外延设施的主任Jon Heffernan讨论了该设施的职权范围、它的专业性以及它对化合物半导体材料和器件研发的贡献。
半导体所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展... 2023-9-27
近日,新加坡南洋理工大学高炜博教授与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员合作,利用施主-受主对(DAP)模型解释了二维MoSe2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子(...
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