技术文章
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Marangoni干燥技术的新应用 2024-7-4
半导体干燥技术广泛应用于半导体制造的各个环节。在半导体材料的切割、研磨和清洗过程中,都需要使用半导体干燥技术来去除材料表面的水分。此外,在半导体器件的制作过程中,也需要使用半导体干燥...
VCSEL技术和产业化进展 2024-7-3
近日通快光电器件,全球工业激光热处理VCSEL解决方案领导者,在近日举行的Photonics West上展示了最新的TruHeat VCSEL产品,它可应用于区域性加热和电子交通领域。基于VCSEL的激光加热系统为工业...
基于非极性氮化铝单晶薄膜的高速表面声波和横向体... 2024-6-27
为了发挥氮化铝(AlN)在GHz频段的高频性能优势,人们往往需要借助氮化铝c轴的压电性能和高声速(约11350 m/s)特征。
半绝缘半导体电阻率、迁移率和载流子浓度的非接触... 2024-6-27
摘要:用非破坏性的非接触法(TDCM)代替常规的霍尔法(Hall),无损、快速地测量半绝缘半导体单晶片的电阻率、迁移率和载流子浓度分布。
通过氧气等离子体处理的超低导通电压(0.37V)垂直... 2024-6-17
在这项研究中,展示了具有超低导通电压VON (0.37 V)的垂直氮化镓(GaN)肖特基势垒二极管(SBD)。由于O2等离子体处理(OPT)工艺,在GaN表面形成了GaON,进一步改变了材料表面的表面电位,使VON从0.62...
基于NX封装的低杂感SiC MOSFET模块 2024-6-17
功率模块从硅IGBT技术过渡到基于SiC MOSFET技术是不可避免的。然而,从硅IGBT时代留下来的外形尺寸偏好仍然阻碍着SiC技术的商业化,因为它们已经被认为具有较高的寄生电感。三菱电机打破了这一僵...
Micro-LED技术研究进展 2024-6-4
随着以AR/VR为代表的新型微显示技术蓬勃发展,具有超高色彩度与分辨率的微显示技术成为工业界和学术界的共同追求。
基于晶圆级高导热异质集成衬底的氧化镓射频晶体管... 2024-6-4
氧化镓是超宽禁带半导体材料的优异代表,由于其禁带宽度和击穿场强远高于GaN,不仅可在更高场强、更高工作电压下工作,大幅度提升输出功率密度,还可实现在高温、强辐照等极端环境下的应用。
为什么CMOS 2.0是摩尔定律的下一个阶段 2024-5-31
互补金属氧化物半导体(CMOS)是支持几十年来小型晶体管和更快速计算机的硅逻辑技术,该技术正在进入一个新阶段。
先进封装之于化合物半导体——大有用武之地 2024-5-29
半导体材料的演进已历经三代,第一代的硅(Si)、锗(Ge);第二代的砷化综(GaAs)、磷化铟(InP);第三代的碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)。目前,全球95%以上的集成电路(IC)是基于硅晶圆生产...
β-Ga2O3器件的液体雾化外延法 2024-4-18
利用液体雾化外延法(mist epitaxy)生产的β-Ga2O3 MESFET验证了这种低成本生长技术的前景
基于自对准Mesa终端成功制备了高性能PtOx/β-Ga2O... 2024-4-18
来自中国科学技术大学的韩照博士,通过将Mesa终端与能够和β-Ga2O3形成高势垒的PtOX电极有机结合,并开发原位退火刻蚀方案,
改进氮化镓衬底减薄技术 2024-4-3
日本大阪大学(Osaka University)的工程师们宣称,他们利用氢基等离子体对氮化镓(GaN)衬底进行减薄的技术取得了新突破。
AI 助力化合物半导体行业新发展 2024-4-3
生成式AI最近在科技行业掀起了一股热潮,ChatGPT和EinsteinGPT等标志性产品吸引了开发者、企业和消费者的目光。
微射流激光技术基于大尺寸金刚石材料分片的研究 2024-3-26
金刚石在高频高压条件下具有广泛且不可替代的应用优势和前景,被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件最有希望的材料
射频声学滤波器技术的发展趋势 2024-3-26
射频声学滤波器是目前移动射频前端主流滤波器技术,包括声表面波和体声波滤波器技术。
用于冰光刻技术的80K低温实验台 2024-2-20
金竟科技公司自主研发的超低温冷台可实现IL(冰光刻)功能,且其性能优于该文提到的所设计低温冷台的性能。
简化SiC衬底生产 2024-2-19
一种突破性工具可在生产标准碳化硅晶碇时实现高精度
拓展深紫外LED的应用领域 2024-2-18
深紫外LED在医疗保健领域的应用正在取得巨大进展,并且在UVC和远UVC的输出功率、效率和寿命方面均有所提高
制造性能更好的蓝色和绿色激光器 2024-2-1
日亚化学(Nichia)成立于1956年,总部位于日本阿南市,是一家知名的化学材料、LED和激光二极管制造商。
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