本期内容
2026年6/7月刊
封面故事 Cover Story
采用台式近空间PVT的SiC衬底
SiC substrates with table-top closed-space PVT
Peter Wellmann，来自埃尔朗根-纽伦堡大学（FAU）
编者话 Editorial
范式转移:
第三代半导体从电动汽车走向AI与具身智能的战略演进
Paradigm Shift: The Strategic Evolution of Third-Generation Semiconductors from Electric Vehicles to AI and Embodied Intelligence
陆敏
业界动态 Industry
总投资52亿元，九峰山半导体生产制造基地项目启动招标
Total Investment of 5.2 Billion Yuan: Jiufeng Mountain Semiconductor Manufacturing Base Project Launches Bidding
总投资约230亿！安意法半导体项目新进展
Total Investment of Approximately 23 Billion Yuan! New Progress on Anssem Semiconductor Project
又一里程碑！晶镓半导体受让山大AlN技术， 成为全球唯一同时拥有GaN与AlN自主知识产权的衬底厂商
Jingjia Semiconductor Acquires Shandong University AlN Technology, Becoming the World's Only Substrate Manufacturer with Independent IP for Both GaN and AlN
交付突破500万颗！全球首款量产终端硅基氮化镓射频芯片实现规模化商用
Deliveries Exceed 5 Million! The World's First Mass-Produced Silicon-Based GaN RF Chips Achieve Large-Scale Commercialization
技术 Technology
PCSEL与VCSEL的优缺点
The pros and cons of PCSELs and VCSELs
InP HBT的新基础
A new foundation for the InP HBT
非对称结构催生卓越SiC超结器件
Asymmetry spawns superior SiC superjunctions
加速硅基氮化镓射频功率放大
Accelerating GaN-on-silicon RF power amplification
碳化硅外延工艺中颗粒产生及改善研究
Research on Particulate Contamination and Its Suppression During SiC Epitaxy
科技前沿 Research Review
释放AlN缓冲层HEMT的潜力
Unlocking the potential of AlN-buffer HEMTs
硅基氮化镓HEMT能否用于未来的手机？
GaN-on-silicon HEMTs for next-generation handsets?
GaN:
提升光功率转换器效率
GaN: Boosting the efficiency of optical power converters
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粤公网安备 44030402004706号
自世纪之交以来，SiC的商业生产受益于巨大的技术进步。在这段时间里，衬底直径从仅仅50 mm扩展到200 mm，而且首批300 mm也刚刚展示出来了。然而，尺寸并非一切。质量至关重要——而这是150 mm和200 mm SiC衬底的一个问题，缺陷密度，特别是位错的普遍存在，阻碍了基于SiC的功率器件的性能和可靠性。解决这一问题的是一种被称为近空间（CS）PVT的改进技术。采用这种有吸引力的替代方案，生长室的激进设计确保了低得多的径向热梯度——比标准PVT低一个数量级。除了这一优势外，轴向温度梯度在CS-PVT中可以比标准PVT大得多。