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业界动态 | Industry
在 MetroPhotonics 公司开发了许多基于 到另一个垂直层是非常重要的 …… 侧向锥形允
InP 的 WDM 组件之后,他接着创办了 OneChip 许垂直地连接所有的波导。该方法非常灵活,这
Photonics 公司,此举着眼于采用自己的无再生 是件大事,我们将会看到可靠性的大幅提升。”
PIC 技术来开发具有成本效益的 InP PIC。 眼下,Intengent 主要是与 GCS 就 4 英寸晶
OneChip 的商业模式基于无晶圆制造, 圆尺寸进行合作,不过打算尽快地过渡到 6 英寸
Tolstikhin 始终将其尊奉为适合低容量市场。在他 晶圆。
掌管 OneChip 的时间里,Tolstikhin 对自己的垂直 Tolstikhin 说 :“我很乐意使用 6 英寸、甚至
整合工艺进行了“精雕细琢”,一举开创了“多导 8 英寸晶圆,但是这并非唾手可得。从成本的角
垂直整合”(Multi-Guide Vertical Integration) 工艺 度来看,晶圆的尺寸确实很重要,因为可以制作
技术。 的器件数量会因晶圆尺寸的不同而差异巨大 ;这
这里,通过垂直地堆叠用于(比如 :激光器 一点不像激光器开发,这些的确都是大型芯片。”
和检测器)的必要材料,该技术使得 OneChip 公 他补充道 :“我无法说出具体日期,但是 6
司能够在单个外延生长工序中以单片的形式将有 英寸晶圆制造即将到来。”
源和无源器件集成在同一个衬底上。 至关重要的是,需求也是如此。据 Tolstikhin
Tolstikhin 强调说 :“我单独设计了用于 称,他正在考虑扩大公司的规模,以应对各种不
OneChip 所开发或尝试过的每款 PIC 产品的每一 同的细分市场(从电信和数据通信到微波光子和 Tolstikhin 希望看到,面向
III-V族半导体材料光子
种外延结构,这在无再生 PIC 生产中是一个绝对 量子通信)对于 InP PIC 不断增长的需求。 器件的无晶圆厂开发的
重要的步骤。” 目前,这位首席执行官还发现了来自那些需 “真正商业基础设施”在
5 年之内部署到位。(照
接 着,OneChip 开发面向 100G 数据中心 要进行 Ⅲ - Ⅴ 族半导体材料集成的硅光子企业 片提供:Intengent 公司)
市场应用、基于 PIC 的光互连,并就晶圆加工 的兴趣。他说 :“[ 设计 ] 现在所需的是
和外延生长与 GCS 和 IQE 结成了合作伙伴关 无法利用现售成品通过大部件装配
系,不过,OneChip 于 2014 年关闭,而在此之前 形式来提供的精细复杂光源。这
Tolstikhin 已经与他人共同创办了 ArtIC Photonics, 是一条在几年前还不太明显的途
这是一家 InP PIC 的无晶圆厂开发企业,产品面 径。”
向电信和数据通信市场。 随着需求的不断攀升,
ArtIC 如今依然存在,它设计用于光学组件 Tolstikhin 期待看到被他描述为面
产品的 PIC 芯片,但是,Tolstikhin 在 2015 年创 向 Ⅲ - Ⅴ 族半导体材料光子器件
办了从事 InP PIC 设计和开发的 Intengent 公司, 无晶圆厂开发的“真正商业基础
这次基于的是锥度辅助垂直整合 (TAVI) 工艺。 设施”。他希望此类基础设施在未
来的 5 年之内将会部署就位,而且重
构件 要的是,他预计这能够在合理的
TAVI 库包括许多构件,从有源器件侧的激光 预算范围内提供全面的定制
器、放大器、到检测器,以及无源器件侧的功分 化水平。
器 / 组合器、滤波器和波导电路的各种元件均在 他 断 言 :“ 随 着 硅
其列。所有这些构件的共同之处是在垂直堆叠且 光子学的发展,业内的
功能不同的导光层之间的侧向锥度辅助绝热转换。 许多厂商现在懂得了
也许最通用的构件(它从这个角度展现了 对无晶圆厂开发的需
TAVI 平台的过人之处)是模斑转换器,该转换 求,而且明白了建设
器可实现导光从 PIC 波导至光纤的转换。这是通 整个基础设施仅为制
过以一种特别设计的多层外延结构构建侧向锥度 造一种器件是毫无意
来确定的。实际上,如 Tolstikhin 指出的那样 : 义的。我们正试图
“Intengent 现在已经与一家商业代工厂就包括多达 利用好这一点,并
90 层的专业化晶圆设计的外延生长开展了合作。” 提供这些人希望获
他补充说 :“允许光信号从一个垂直层移动 得的服务。”
www.compoundsemiconductorchina.net 化合物半导体 2018年第4期 9

