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技术 | Technology – 外延 | Technology – 外延
技术
在玻璃上生长
III-V 族材料
织构的 MgO 薄膜有望使大面积玻璃板上的
III-V 族器件结构用材料得以生长。
Ashok Chaudhari, SOLAR-TECTIC 公司
硅 是制造 GaN 基 LED 时优于蓝宝石的衬底 公司，也高度赞扬摒弃昂贵的蓝宝石晶圆。但我
们认为可以更进一步，并节省更多。我们的想法
吗？是的，有些公司当然这么认为。以英
国的 Plessey 半导体公司为例 ：它认为硅不仅在 是，不是使用硅晶圆，而是可以在硅或锗的薄膜
成本方面具有优势，而且在散热方面也有优势。 上生长 GaN。因此，生产需要采用廉价的基板，
与此同时，韩国三星声称，通过将 200 毫米硅上 例如钠钙玻璃，并在其上沉积硅（或锗）的薄膜，
GaN 外延片与晶圆级芯片级封装相结合，可节省 并随后在在其上生长 GaN LED 异质结构。除了
高达 60％的成本。这也是德国 Allos 的共识，他 减少衬底成本之外，这种方法还可以为 microLED
们认为随着工艺的成熟，这些成本节约最终可能 的制造提供另一个关键优势 ：器件可以单片制造，
会更多。 而且不需要像素转移，因为 GaN 可以直接在硅薄
我们位于纽约 Briarcliff 庄园的 Solar-Tectic 膜上生长。
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化合物半导体 2019年第2期 2019年第2期
