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化合物半导体在线研讨会 | 3.20 9:00-12:00
近年来,以SiC和GaN为代表的第三代半导体广受关注,由于SiC和GaN器件具有更高的击穿电压、更高的导热率,在功率电子方面具有显著优势,特别适合于高温、高功率等应用场景。
随着5G、电动汽车、新能源等行业的兴起,为SiC和GaN带来了更广阔的应用增长空间,将大大刺激SiC和GaN器件的销售。IHS Markit 预测,2018年全球SiC的总收入约为5亿美元,到2020年将翻一番,到2026年将增至近50亿美元。同样,2019年全球GaN功率器件的销售额达到约1.5亿美元,在2028年升至18亿美元。
本次研讨会聚焦GaN、SiC功率半导体技术及产业的最新发展趋势、技术挑战及相应的解决方案。
会议流程 »
08:30-09:00 嘉宾登录
09:00-09:10 开幕致辞
09:10-09:50 SiC和GaN功率电子技术及产业发展趋势
大会主席: 陆敏博士,研究员 - 《化合物半导体》 技术顾问
09:50-10:30 用于宽禁带半导体材料大规模生产的解决方案
方子文博士 - AIXTRON SE 中国区市场与工艺部门经理
10:30-11:10 宽禁带半导体在射频和功率应用中的测试挑战
查海辉 - 是德科技 半导体应用技术工程师
11:10-11:40 圆桌论坛—针对现场提问进行解答 -(陆敏博士、陈洪建博士、方子文博士、查海辉老师)
11:40-12:00 幸运抽奖
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三等奖
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主讲嘉宾 »
陆敏博士
陆敏博士
大会主席
陆敏博士,研究员,《化合物半导体》技术顾问,宽禁带半导体联盟秘书长。从事化合物半导体领域工作及研究25年,策划并成功组织2届APCSCRM国际会议;SEMI中国化合物半导体标委会核心委员,国家半导体材料标委会委员,成功组建宽禁带半导体技术团体标准标委会,共发布实施12项团标。对宽禁带半导体材料的生长、器件制备技术及半导体技术标准化有丰富的经验。
近年来承担或参与了多项国家发改委、工信部、科技部重点研究计划、863、973和国家自然科学基金等科技及产业化项目。在国内外学术期刊上共发表论文40余篇,申请国内发明专利13项,授权11项,起草并发布国际标准1项,国家标准1项,团体标准10项。
《化合物半导体》技术顾问,陈洪建,工学博士。现任河北工业大学材料科学与工程学院教授。SEMI标准技术委员会委员,中国硅酸盐学会晶体生长与材料专委会理事,《人工晶体学报》编委,光学晶体标准化技术委员会委员。
研究方向:主要从事单晶硅、蓝宝石以及化合物半导体材料晶体生长及缺陷控制研究。近年来先后主研国家、河北省、天津市自然基金以及产业化专项、横向科研课题10余项,发表SCI论文40余篇,获专利及软件著作权10余项。
陈洪建博士
陈洪建博士
技术顾问
方子文
方子文
AIXTRON SE
中国区市场与工艺部门经理
方子文博士毕业于英国利物浦大学工程学院,主修先进半导体沉积技术,现任AIXTRON中国区市场营销和工艺部门经理。他在AIXTRON曾担任工艺科学家,实验室部门经理等职,精通三五族化合物半导体MOCVD外延材料生长、制备和测试。其中包括硅基GaN材料用于功率及射频器件,SiC材料用于功率器件,GaAs/InP激光器,及Mini/Micro LED显示面板产品使用的外延材料。
查海辉自从2016年加入Keysight,主要负责射频微波和半导体应用方向,专长于射频功放器件,毫米波测试,信号完整性分析和功率器件动静态参数测试等。同时作为Keysight上海开放实验室主任,为客户提供开放的测试环境,覆盖无线通信,射频微波,半导体和高速数字测试领域。
查海辉
查海辉
Keysight是德科技
半导体应用技术工程师
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