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用于光网络的超低功率VCSEL 如果希望不断增长的因特网流量不显著增加全球的能源消耗,很重要的一点是需要使用非常高能效的器件来构建未来的光网络。可望有助于这一目标实现的器件是1310 nm波长VCSEL,方法是将从InP晶圆上生长出的有源层与GaAs衬底上形成的反射镜层融合在一起。由来自瑞士洛桑理工学院的Alexei Sirbu和来自EPFL及 BeamExpress的Eli Kapon为大家介绍详情。
日本发现新型碲化铋和锰制磁体电子材料 节能效果更好 日本和光理化高级科学研究所的研究员们发现一种磁体,当电子数量增加的时候其磁性会变弱,换句话... 半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现 拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用... 中国实现碳化硅大功率器件批量生产 有望缓解能源危机 中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家... 全新光电追加订购AIXTRON爱思强系统以满足日益增长的需求 AIXTRON宣布,台湾长期客户全新光电科技股份有限公司(VPEC)向其下订新系统订单,增购两套... 汉能再并购拓展零售渠道 薄膜太阳能仍独舞? 2月10日,年初因大股东股权质押而经历沽空事件的汉能太阳能宣布以1港元代价向母公司汉能控股...
采用镍金属来提高石墨烯接触电极的性能 在石墨烯上覆盖一层镍金属薄层来作为紫外LED的上接触电极,其器件性能将会与采用传统ITO接触... 氮化镓量子点与深紫外发光 美国圣母大学(UND)正在开发一种新的深紫外(UV)光LED——氮化镓量子点(QD)。 氮化铝深UV LED... 在半极性晶面上制作稳定发射绿光的LED器件 在增加一个发射绿光LED器件的驱动电流时,其发光波长往往会产生10nm以上的蓝移,这种现象妨碍... 俄歇复合确实是引起LED发光效率下降的原因吗? 在化合物半导体业界最为热门的话题之一是:俄歇复合效应是不是引起LED发光效率下降的主要原因... 对ZnO的霍尔效应测量存在局限性 在InP衬底上生长ZnO薄膜在经过退火后,进行霍尔效应测量所给出的结果可能会与被测材料的真正... 能讯半导体发布用于LTE基站的国产氮化镓微波晶体管产品 国内首家商用氮化镓(GaN)电子器件生产企业,苏州能讯高能半导体有限公司近日发布了新型氮化镓... TriQuint用千个HEMT晶体管制造GaN环形振荡器集成电路 TriQuint 半导体公司的工程师们使用了501个耗尽型和502个增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)... Lumex 新款 TitanBrite 高电压、低电流 LED Lumex 宣布在全球推出其 TitanBrite 高电压、低电流 LED,这是 TitanBrite 高功率 LED 系列的最新...
化合物半导体 - 2013年第四期
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