目前制造LED基的白色光源和全色彩显示器的白色光源两种主要制造方法都存在着根本性的缺陷。如果白光是由被封装在一个器件内单独的红色、绿色和蓝色LED进行混色而产生的话，该器件则必须将AlGaInP基红光LED与GaN 基绿光和蓝光LED集成起来才行，要将这些不同类型的LED进行配对结合将面临着挑战，这是因为它们在电学特性和材料性质上存在着很大的差异。它的主要替代方法也存有很大的缺陷，在这种情况下，蓝光LED上就只能加上黄色荧光粉涂层，由光色混合来得到白光的效果。然后将是一个效率上的妥协问题，这是由于在蓝光到黄光的转换过程中光子会发生级联损失。

五十多年来，国际电子器件会议（IEDM）一直在强调硅技术的发展。然而，最近该会议也展示在化合物半导体技术上取得的重大突破。最近一次会议于2016年12月3-7日在旧金山召开，会议中有关III-V半导体方面的报告数量达到历史上的峰值。报告展示的成果包括有：创纪录的III-V MOSFET电流；创立了1 THz InP HEMT IC的增益新标准；GaN整流器件中前所未有的击穿电压和反向漏电流性能；以及一种新颖的常闭型GaN垂直晶体管和无电流塌陷的GaN栅极注入晶体管的开发等内容。

“全新的SiC晶圆切割技术能及时跟上市场增长的步伐吗？”

我们之前讨论了电信行业专注于提高能源效率以实现“绿色”通信的各种方法，以及 MIMO、波束形成和小型蜂窝是如何提高效率并使电信网络整体更环保的。同时我们还强调了有多少网络能源消耗来自 RF 链。那么，今天我们就谈谈如何实现 RF 链 5G 目标和“绿色”网络目标？

不管其结构形式如何，硅晶体管都会在7nm CMOS及以下节点达到性能的顶峰并开始递减下降，而 InGaAs finFET的出现则有可能使摩尔定律继续前行吗？

由于硅技术的飞速发展，工作在微波及毫米波段的纳米尺寸集成电路器件的性能正在飞速提升。然而，由于硅材料本身的原因，在毫米波频率上硅器件的输出功率密度仍十分有限，而且它的信号的损失也非常明显。

在绿色激光器的外延结构生长中，存在着一个令人尴尬的折衷性问题。如果使用最佳条件来生长p型层，那么约为1050℃的高温将会降低量子阱的质量；但如果降低生长温度，则p型层的电阻率将会增加，并且包覆层及波导的光学质量也会产生下降。

美国加州大学Santa Barbara分校的计算结果表明，将InN单原子层插入到AlGaN / GaN基HEMT结构中可提高该器件性能。据Mao-sheng Miao和chris Van de Walle介绍，添加超薄的InN层可提高二维电子气的密度、局域性和迁移率，从而大幅提高器件性能，例如具有优越的开关特性。

瑞士苏黎世IBM研究实验室的工程师宣称，已经首次成研究成功由硅上InGaAs和SiGe器件构成的CMOS反相器和高密度SRAM阵列。

随着传统半导体工艺技术日益接近物理极限，业界越来越关注通过创新材料、创新工艺及创新器件结构等方面，寻找新的路径来继续推动晶体管尺寸缩小。与此同时，化合物半导体近年加速发展，不断取得重大突破，逐渐担当起推动半导体技术发展的新生力量，成为未来半导体的发展方向。本期《化合物半导体》杂志为读者奉献的几篇文章恰好反映了化合物半导体最近的一些重大发展，在此特别向读者推荐。