本期内容
2018年第一期
封面故事 Cover Story
异质结PIN二极管MMIC RF开关
Heterojunction PIN Diode MMIC RF Switches
- James J. Brogle,高级主任工程师,MACOM多应用市场事业部
业界动态 Industry
设立 SiC 标准
Setting the SiC standard
为 GaN 器件批量生产亮起绿灯
Green Light For GaN Devices
深紫外光 LED瞄准杀菌消毒应用
Ultraviolet LEDs take aim at disinfection
技术 Technology
GaN的单片集成
The monolithic integration of GaN
Karen Geens,Marleen van•Hove和Stefaan Decoutere,IMEC
首次亮相: 
p型SiC MOSFET
Making a debut: The p-type SiC MOSFET
- Junjie An,Masaki Namai,Mikiko Tanabe,Dai Okamoto等,筑波大学
GaN HEMT: 
衬底难题
GaN HEMTs: The substrate conundrum
- Mohammed Alomari,斯图加特微电子学院(IMS CHIPS)
科技前沿 Research Review
完善 GaN 肖特基势垒二极管
Perfecting the GaN Schottky barrier diode
UV LED 功率的提升
A hike in UV LED power
编者话 Editorial
中国打破MOCVD设备国外垄断
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