自2003年MACOM公司发明了具有AlGaAs层的GaAs砷化镓PIN二极管、之后获得相应的专利并成功完成其研制。增加的AlGaAs层作为阳极和/或阴极，使所形成的异质结二极管有较低的正向偏置射频电阻，而没有改变反向偏置电容。通过加入AlGaAs层，GaAs PIN二极管单片集成电路的电气性能和热耗散性能都被验证有显著提高，例如在单片开关芯片产品的设计实现上。

随着目前最先进 SiC 生产线的建成投产，而且封装设备不久即将投入使用，纽约电力电子制造业联盟（New York Power Electronics Manufacturing Consortium）准备提供下一代功率器件。 — Rebecca Pool报道

业界合作伙伴 X-Fab 和 Exagan 采用 200 mm CMOS工艺生产了硅基 GaN晶体管，实为硅基GaN器件市场上的一次突破。

随着欧司朗光电半导体公司在深紫外光LED (UV LED)领域投入资源的增多，此类器件是不是正在接近商品化？ -Rebecca Pool问道。

GaN注定要彻底改变功率半导体行业。由于具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的热导率和更低的导通电阻，因此，它势必将取代传统的硅基功率芯片。

SiC以其宽带隙和大介电常数而闻名。这些特性让SiC功率器件在很多方面比硅更有优势，其中包括：较低的导通电阻；较高的最高工作温度；较低的传导损耗；以及由于高导热率，工作期间芯片温度增加较小。

作为现有的电力电子技术，硅有其局限性。这包括在高于1 MHz频率下结合500 V以上工作的系统中，无法提供具有理想效率的直流电源转换。这是一个主要障碍，因为许多应用中都需要这些条件，包括：用于汽车和工业电源的电机驱动；电动车辆的动力单元（它们插入到充电单元和电池之间，或者电池和电机之间）；光伏逆变器；数据中心及电信电源。

采用低速率生长漂移层，可制作具有非常高开关效率的垂直 GaN 肖特基势垒二极管。

AlN 纳米光子结构提高了 LED 取光效率，从而把功率输出提高到 150 mW 以上。