本期内容
2017年第二期
封面故事 Cover Story
世上首个全色彩单芯片LED
The world's first monolithic full-colour LED
业界动态 Industry
IEDM国际会议展示化合物半导体方面的成果
IEDM showcases compound semiconductor successes
3D-Micromac: 
更快的SiC晶圆切割速率
3D-Micromac: a faster slice
技术 Technology
氮化镓 – 实现 5G 的关键技术
GaN – the key to 5G technologies
- David Schnaufer 和 Bror Peterson, Qorvo
InGaAs finFET用于未来的CMOS
InGaAs finFETs for future CMOS
- JESúS DEL ALAMO, ALON VARDI, XIN ZHAO, 美国麻省理工学院
SOI: 
为制造GaN高电子迁移率晶体管打下良好基础
SOI: A great foundation for the GaN HEMT
- HSIEN-CHIN CHIU, LI-YI PENG, HSIANG-CHUN WANG, HOU-YU WANG, 台湾长庚大学G.-Y. LEE, JEN-INN CHYI, 台湾国立中央大学
科技前沿 Research Review
用混合型生长工艺制作更好的绿色激光器
Hybrid growth promises better green lasers
InN有望提升氮基HEMT的性能
InN looks to enhance nitride HEMTs
III-V: 
将逻辑电路与存储器相结合
III-Vs: Combining logic and memory
编者话 Editorial
化合物半导体成果斐然
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