本期内容
2022年4/5月刊
封面故事 Cover Story
具有氦离子注入边缘终端的1.7kV垂直氮化镓肖特基势垒二极管
1.7-kV Vertical GaN-on-GaN Schottky Barrier Diodes With Helium-Implanted Edge Termination
深圳大学：刘新科，林峰，利健，林钰恒，吴钧烨，王灏帆，黎晓华，黄双武； 北京大学东莞光电研究院：王琦；台湾长庚大学：邱显钦；台湾交通大学：郭浩中
编者话 Editorial
窄带隙半导体材料之锑化镓
Gallium Antimonide as Narrow Band Gap Semiconductor
业界动态 Industry
比亚迪自今年3月起已停产燃油车
BYD has stopped production of fuel vehicles since March 2022
高亮度、高调制带宽的深紫外Micro-LED阵列
Deep-Ultraviolet Micro-LEDs Exhibiting High Output Power and High Modulation Bandwidth Simultaneously
阳离子无序工程显示 AgBiS2太阳能电池的潜力
Cation Disorder Engineering Shows Potential Of AgBiS2 Solar Cells
晶湛半导体发布Full Color GaN®全彩系列LED产品并打破300mm壁垒
Enkris Releases Full Color GaN Series® and break the 300mm barrier
赛米控和丹佛斯硅动力宣布合并
Semikron And Danfoss Silicon Power Announce Merger
Power Integrations公司提高电动汽车效率
Power Integrations Boosts EV Efficiency
SEMI报告:
2021年全球半导体设备销售额激增44%，创下1026亿美元 的行业新高
SEMI Report: Global Semiconductor Equipment Sales Surge 44% in 2021, Reaching an Industry High of $102.6 Billion
技术 Technology
MicroLED 眼结构照明
MicroLEDs eye structured illumination
红外激光光谱仪触手可及
Infrared laser spectroscopy at your fingertips
迈向高效的星载毫米波发射
Towards efficient spaceborne millimetre-wave transmitters
高温电子技术的发展与挑战
Development and Challenges of High Temperature Electronic Technology
硅衬底GaN基纵向功率器件:
低成本与高可靠性的完美结合
Vertical GaN-on-Si Power Devices: The perfect combination of low cost and high reliability
科技前沿 Research Review
对量子点激光器的改进
Refining the quantum dot laser
在蓝宝石上实现高紫外发光效率
Realising a high UV efficiency on sapphire
生产常关型的射频HEMTs
Producing normally-off RF HEMTs
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粤公网安备 44030402004706号
本文首次演示了具有氦(He)注入边缘终端(ET)结构的高性能垂直氮化镓(GaN)-氮化镓上 肖特基势垒二极管(SBDs)。 由于注入He的ET结构的特点，肖特基接触金属边缘下的峰 值电场拥挤效应显著降低，从而提高了二极管的击穿电压VBR。 在相同的测试条件下， He注入ET结构的器件的VBR从862 V提高到1725 V，其导通电阻为5.1 mΩ•cm2，导通电 压VON为0.63 V。 在VON <0.7 V的条件下，采用He注入ET结构的垂直GaN SBDs具有迄今 为止报道的最高的VBR。