本期内容
2017年第三期
封面故事 Cover Story
新型固态光电倍增管
Building better low-light detectors
- 汪莱, 郑纪元, 郝智彪, 罗毅; 清华大学电子工程系
业界动态 Industry
原子层沉积技术的迷人属性
The attractive attributes of atomic layer deposition
RIcharD STEVENSON
氧化镓: 
碳化硅和氮化镓的接棒者
Gallium oxide: ready to take on GaN and SiC
实现金刚石 GaN 的商品化
Commercialising diamond GaN
技术 Technology
评估UV LED的能力
Evaluating the capability of UV LEDs
- Leo Schowalter, Crystal IS
对SiC高压MOSFET的关键看法
A critical look at the SiC, high-voltage MOSFET
- Munaf Rahimo,瑞士ABB半导体有限公司
科技前沿 Research Review
不对称结构加速InP基HEMT
Asymmetry accelerates InP-based HEMT
提升日盲探测器的增益
Increasing the gain of solar-blind detectors
溅射优异的GaN
Sputtering superior GaN
编者话 Editorial
5G发展驱动,化合物半导体未来五年年均增长将超过11%
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