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| 第三代半导体产业将写入十四五规划？众厂商积极卡位 |
| 据权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导... |
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| 长三角化合物半导体创新基地落户常州武进 |
| 近日，武进国家高新区与西安电子科技大学签约仪式顺利举行，双方将在武进联合建设长三角化合物半导体创新基地。西安电子科技大学团队、武岳峰资本、武南汇智、常州承芯等产业链合作方同时签订合作意... |
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| 三安集成：5G平山海，DFB芯片之路仍任重道远 |
| 在第22届中国国际光电博览会信息通信展展会期间，三安集成的市场部团队进行了10场路演，详细介绍了三安集成覆盖数据通讯、云计算、3D感测和消费电子的产品布局，以及用于数据通信的2.5-25G VCSEL... |
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| 为5G毫米波设计MMIC |
| 为了满足对更高数据传输速率和容量的需求，最新一代蜂窝通信正在扩展其频谱使用范围将毫米波频段包括进来。此举有利有弊：它为化合物半导体行业带来了巨大的机遇，但却给5G应用的前端IC设计人员带来了巨... |
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| 混合生长有望实现性能更高的激光二极管 |
| 通过远程等离子体CVD加入隧道结，将实现更高功率，更高效率的GaN激光器。高亮度GaN基激光器的发展打开了令人兴奋的全新应用的大门。这类激光器已开始用于工业焊接，生物技术流式细胞仪，显示器，以及... |
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| III-V族与硅结合用于后5G时代的前端模块 |
| 5G与以往相比是一个根本性的偏离。它仍将涉及Sub-6GHz频段的传输，但除此之外，它将使用毫米波频率，这是解决当前频段带宽限制所必需的措施。整合深宽比捕获与纳米脊工程技术，可以实现300mm基板上的... |
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| 面向5G优化GaN异质结构 |
| 在生产GaN HEMT时，重要的决定是衬底的选择。选择半绝缘SiC可以满足最苛刻应用中对最终功率水平的需求，而选择硅的优势则是在低成本、大直径和大规模生产方面。为了在高端射频应用中使GaN-on-Si与... |
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化合物半导体 - 2020年 6/7 月刊 |
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