| III-V Epi：对速度的需求 |
| 今年7月，III-V Epi公司成立，旨在尽快将新的III-V器件推向市场。这家新公司由来自Gas Sensing Solutions、量子技术中心、Quantic和格拉斯哥大学的英国行业资深人士领导，已经为世界各地的商业公司和研究机构提供了各种倚赖MBE和MOCVD的晶圆代工服务。 |
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| 钙钛矿-硅复合材料达到近30%的效率 |
| 为了充分利用太阳光这一世界上最丰富的能源资源的潜力，几十年来，科学家们一直在努力最大限度地提高可以从太阳中提取的能量。在 AIP出版的《应用物理快报》中，牛津光伏公司的研究人员描述了如何将金属卤化物钙钛矿与传统硅配对产生更强大的太阳能电池，克服单独使用硅电池 26% 的实际效率限制。 |
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| 能带工程提高绿光 LED 的效率 |
| 武汉大学周圣军领导的研究小组报告了堆叠式最后量子势垒 (SLQB) GaN/AlN 层，以实现高效的基于 InGaN 的绿光 (~550 nm) 发光二极管 (LED)。该团队表示，堆叠的最后一层量子势垒结构提高了空穴注入效率并减轻了电子泄漏效应，从而改善了器件性能。 |
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| 提升 GaN 阻断电压 |
| 来自瑞士 EPFL 的工程师声称已经打破了硅基 GaN 肖特基势垒二极管的击穿电压记录。该团队的器件采用 p 型 NiO 层作为结终端扩展，能够阻止高达 443 V 的电压。结终端扩展是常见的结构，广泛应用于硅和 SiC 器件中，以防止电场的局部峰值并最终确保更高的阻断电压。 |
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| 晶湛展示300mm硅基氮化镓HEMT晶圆 |
| 位于中国苏州工业园区的GaN晶圆外延片代工厂晶湛半导体宣布，它已经展示了一系列高质量的300mm硅基氮化镓HEMT外延片，它们具有良好的厚度均匀性和低晶圆弯曲度，适用于200V、650V和1200V功率应用——为使用更复杂的300mm CMOS兼容线的器件加工铺平了道路。 |
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| GaN Systems与宝马签署产能协议 |
| GaN Systems与宝马集团就GaN Systems的高性能汽车级GaN功率晶体管签署了一项产能协议，该晶体管可提高电动汽车关键应用的效率和功率密度。GaN功率半导体是实现下一代高性能电动汽车所需的小尺寸、轻量化和高效率的关键要素。 |
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| 英飞凌和松下加速GaN的发展 |
| 英飞凌科技公司和松下公司已签署一项协议，共同开发和生产第二代 (Gen2) 经验证的 GaN 技术，提供更高的效率和功率密度水平。英飞凌的高性能、高可靠性以及8英寸GaN-on-Si晶圆生产能力，标志着英飞凌对GaN功率半导体不断增长的需求进行了战略性拓展。 |
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| 电机驱动设计采用CoolSiC MOSFET |
| 英飞凌推出了一种经过预先测试的通用电机驱动参考设计，据称可显著缩短上市时间。该参考设计的标称功率为 22 kW，可直接在 380 至 480V 三相电网上运行。该设计可以完全重新用于定制，并允许客户在实际操作条件下评估英飞凌的产品。 |
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化合物半导体 - 2021年 8/9月刊 |
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