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把握机遇，凝聚向前。2024年10月30-31日，雅时国际商讯将移师全国新能源之都——江苏·常州新城希尔顿酒店组织举办“化合物半导体先进技术及应用大会”。本次会议是线下会议，为期2天，预计演讲报告达40+场。会议将邀请学界学科带头人、产业领袖、技术研发管理人员开展深度交流与合作，预计参会规模达到400-500人，勠力实现材料和器件关键技术的持续突破、推动国产替代应用发展，共同打造自主可控的化合物半导体产业链。
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作为市场领先的纳米计量系统制造商， Park Systems 隆重宣布推出最新的原子力显微镜 (AFM) 创新产品 Park FX200。该产品专为
200 毫米样品而设计...
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中国研究人员报告了利用离子切片和分子束外延在硅基（Si）绝缘体上磷化铟（InPOI）衬底上生产的2.1 μm激光器 [Jiajie Lin et al,
Optics Express...
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近期，2024年国际微波研讨会（IMS）在华盛顿特区举行，会上射频和毫米波专业公司Filtronic展出其最新的E波段产品。其中包括新型E波段收发器模块...
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AlGaN深紫外LED在杀菌消毒，水质净化，医学治疗，通信等多个领域拥有重要应用前景。相比于其他传统紫外光源（如汞灯），AlGaN深紫外LED...
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Cambridge GaN
Devices（CGD）正与Qorvo合作开发参考设计和评估套件（EVK），展示GaN在电机控制中的应用。CGD旨在加快GaN功率IC在...
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一种升级的 X 射线成像技术可以提供清晰的芯片内部工作三维图像，揭示芯片的设计和缺陷。这种方法的分辨率为 4
纳米，提供的图像清晰度足以...
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推进电力电子技术的发展不仅与新材料有关。架构真的很重要，超级结、多沟道和多栅极等为功率器件的革命性变革提供了机会。电力电子器件是在...
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如今，VCSEL最为人所知的可能是它作为智能手机中的接近传感器的广泛应用。但其首个大批量市场是数据通信，该领域持续为许多此类激光器制造商...
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近日，上海微系统所异质集成XOI课题组自主研发了基于“万能离子刀”的碳化硅（SiC）复合衬底制造技术，SiC晶圆尺寸最大达到8英寸，并初步通过...
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GaN-on-GaN功率器件以其高击穿电压、高电流能力和出色的动态性能而闻名，通常采用沟槽结构以提高性能。这些沟槽通常由感应耦合等离子体刻蚀定义...
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