2025年6月焦点快讯
本期焦点
【巅峰对话】半导体量测新场景线上重磅揭幕！
量测检测技术急需变革。原子级精度控制成为必然，AI 助力海量检测数据处理，设备厂商与产业链上下游协同创新，构建开放生态。2025年6月24日，本次会议将聚焦“智能算法赋能”、“跨尺度量测技术”、“新兴场景应用”三大维度，探讨如何以技术创新应对AI、电镜、原子层沉积（ALD）、原子层刻蚀（ALE）及先进封装带来的检测难题，助力全球半导体产业的高质量发展。
行业新闻
增强AlN/GaN HEMT...
俄亥俄州立大学的工程师们宣称，他们已经打开了一扇大门，有望制备出尺寸小得多、工作频率高得多的AlN/GaN HEMT。该团队的突破涉及原位钝化和...
英飞凌与伟世通就电动汽车功率转换系统...
德国慕尼黑的英飞凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）与美国密歇根州范布伦镇的汽车座舱电子设备供应商伟世通公司（Visteon Corp）...
降低L波段量子点激光二极管的阈值...
英国和法国的研究人员宣称，在（001）磷化铟（InP）衬底上的C/L波段砷化铟（InAs）量子点激光器中实现了每层量子点（QD）的最低阈值电流...
Microtest在PCIM上展示小型测试发生器
在近期于德国纽伦堡举行的PCIM展会上，欧洲测试系统制造商Microtest Group推出了一款小型2kA低电感动态开关测试发生器——M2 DS5 Quasar...
以创新方法应对掺杂挑战...
众多化合物半导体中的p型或n型掺杂限制，例如CdTe和GaN中的p型掺杂，以及ZnTe中的n型掺杂，是一个长期存在的挑战。这源于材料的基本特性，例如...
首个基于GaN HEMT的后处理金刚石...
美国斯坦福大学与加州大学圣巴巴拉分校（UCSB）宣称，首次在射频（RF）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）上集成了后处理金刚石 [Rohith...
产品与技术
集成光子平台：SiC的案例
现代微电子学中最成熟和应用最广泛的半导体——硅，是现代微电子学的支柱。在过去的50年或更长时间里，它一直在推动人类生活的进步，通过遵循...
化合物半导体器件典型失效分析...
随着6G时代的到来，化合物半导体材料和器件的需求日益增多。厂商迫切希望减少或消除产品的异常，并在研发、量产工艺以及可靠性测试阶段及时改进和...
挑战极限：SiC/Ga₂O₃/AlN基功率器件...
GaN和SiC等还只是具有潜力的材料时代早已一去不复返了。现在，它们正在发挥自己的潜力，其显著的商业成功就是证明。由于在电动汽车中的广泛应用...
赋予氧化镓雪崩能力
先进功率器件是许多应用（包括电动汽车、数据中心、电网和可再生能源处理）中高效能源转换的重要组成部分。为了使这些器件达到更高的性能水平...
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