01 大会概览 | Conference Overview
人工智能算力激增、具身智能产业化提速叠加双碳政策落地，SiC、GaN、InP、GaAs等化合物半导体凭借优异光电性能，已成为AI数据中心、光互连、新能源车、人形机器人产业的关键核心材料。
据Global Market Insights数据，全球化合物半导体市场2025年价值达458亿美元，预计从2026年的503亿美元增长至2035年的1202亿美元，年复合增长率达10.2%。其中，GaN和SiC功率半导体市场2024年规模约44亿美元，预计2031年将达233亿美元，CAGR高达29.3%；在AI算力驱动下，InP衬底市场CAGR超过18%，光互连芯片正成为最具爆发力的细分赛道。
全球产业化进程快速推进：光互连端，Coherent发布超宽带光模块方案、Lumentum落地InP新工厂，OCS技术加速商用；功率领域，英诺赛科8英寸GaN产线完成扩产，国产8英寸沟槽栅SiC MOSFET实现高良率流片，纳微半导体落地高效率AI大功率电源产品；英飞凌依托宽禁带器件布局人形机器人产业链，行业步入商业化落地关键阶段。
值此产业浪潮澎湃之际，化合物半导体先进技术及应用大会将于10月29-30日在江苏太仓盛大举办。
本届大会旨在打造中国化合物半导体领域顶尖的产学研用交流平台、技术风向标和商业合作枢纽，深度聚焦AI算力光互连、数据中心高效电源、具身智能功率电子三大核心增长极，凝聚行业智慧，深化全产业链协同创新，竭力推动我国化合物半导体产业实现自主可控与高质量发展。
会议时间： 2026年10月29-30日(约2天)
会议地点： 太仓玛丽蒂姆酒店 （ 江苏太仓科教新城海运堤路88号）
主办单位： 雅时国际商讯
支持单位： 太仓市科技招商有限公司
02 核心议题 | Forum Topics
聚焦行业热点与技术痛点，设置八大前沿议题：
• AI算力光互连全栈技术：从InP/GaAs光芯片到先进封装耦合
• InP/GaAs光芯片量产攻坚：保障AI算力基础设施供给
• 碳化硅全产业链自主可控：衬底突破与外延设备国产化
• 氮化镓功率器件：赋能AI、具身智能与新能源汽车
• 超宽禁带材料：氧化镓、金刚石、AlN的制备与器件前沿
• Micro-LED光通信与AR衍射光波导：跨界应用新机遇
• 高功率密度封装与热管理：系统级可靠性设计
• 融合应用生态：化合物半导体在具身智能与AI算力中的落地
03 立即预订 | Contact Us
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刘映妮 Annie Liu：135 9024 6961 / anniel@actintl.com.hk
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