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技术 | Technology – 材料
Agnitron的MOCVD实验室，加温期间
当多片型MOCVD腔室向大气打开时，
氧化物加热器组件上的发光。
气。研究 Al 2 O 3 -β-Ga 2 O 3 的相图表明，实现富铝 我们参与由陆军研究办公室赞助的为期两年的
(Al x Ga 1-x ) 2 O 3 合金生长所需的温度和压力具有挑战 STTR 计划。在这项工作的后半部分，我们的任
性（见图 3）。 务是找到一个合适的缓冲层，以提高太阳光盲的
在我们工作之前，MOCVD 也受到许多限制 MgZnO 基光电探测器的性能。直到那时，仍然是
的困扰。β-Ga 2 O 3 的生长速率不能超过 500 纳米 / 将 ZnO 用作蓝宝石上的缓冲层，但是这会限制器
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小时 ；掺杂浓度受限制，不能低于 1×10 cm ； 件的性能，因为它倾向于吸收波长比 MgZnO 薄
电子迁移率远远低于理论水平，和 MBE 演示的 膜更长波长的入射光。
一样 ；(Al x Ga 1-x ) 2 O 3 的组分受到限制，其掺杂很有 由代理 ARO 计划的监管人 Michael Gerhold
挑战性。 推荐的补救措施中包括了将 ZnO 转变为 β-Ga 2 O 3 ，
形式可以是衬底或者缓冲材料。在调查这些材料
...... 以及突破 的过程中，我们开始清楚认识到了 MOCVD 的生
我们对所有这些限制的突破，可以追溯到 长限制。
图2.（a）黑暗和照明条件下，图1中基于β-Ga 2 O 3 :Ge外延膜的垂直肖特基器件的电流-时间特性。（b）Pt-β-Ga 2 O 3 :Ge垂直肖特基光电二极管
的光谱响应。（c）比较未优化的β-Ga 2 O 3 :Ge光电二极管（品红色）与基于GaN（黑色），SiC（红色）和AlGaN（蓝色）宽带隙半导体商
业器件的光响应性。估计的量子效率用虚线表示。
22 化合物半导体 2018年第4期 www.compoundsemiconductorchina.net
