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技术 | Technology – 材料
表3. Agnitron的新型Agilis β-Ga 2 O 3 配置MOCVD系统的系统规格。规格参考标准系统配置；一些参数可定制或可扩展。
明是成功的，但并不是说它就一定是 β-Ga 2 O 3 确 晶圆反应器的几何形状，而且初始客户的订单计
定无疑的选择。氧化物 MOCVD 的生长有其独 划将在第三季度交付。
该工具的发布将有助于推动 β-Ga 2 O 3 光电和
特的一系列与工艺相关的挑战，如果想要 β-Ga 2 O 3
基器件的商业化生产实现起步，这些问题是必须 功率应用的发展。但是我们认为还有许多的工作
要解决的。 需要去做。多片晶圆配置还是偏小，并且规模的
如果器件要取得商业上的成功，那么与外延 扩大必须在保持材料质量的同时进行，这样才有
生长相关的成本必须是适度的。毕竟，包括 LED 可能降低外延成本。此外，虽然很明显宽带隙
在内的其他化合物半导体器件类型也都是这个样 器件是确定用来提高电动汽车，数据中心和分布
子的，因此从逻辑上人们可以假设对于 β-Ga 2 O 3 式能源的能源效率，但各种宽带隙器件将要扮演
基的器件也是是相同的。 的角色仍然存在着不确定性。我们要努力探索 ：
有利于 β-Ga 2 O 3 的一个主要因素是它可以通 β-Ga 2 O 3 的最佳机会是什么？ GaN 和 SiC 又会应
过规模可扩展的批量生长技术来生产本征衬底。 用在什么地方呢？
这有望实现比 GaN 更简单的生长。对于 SiC，同
样是使用同质外延生长，但是 SiC 衬底相比更加 * 本文中所描述工作的绝大部分得到如下单
昂贵，因此如果规模足够大，β-Ga 2 O 3 基器件的 位资助 ：ONR 合同，编号 N6833518C0192，Lynn
Peterson 先生指导 ；AFOSR 合同，编号 FA9550-
生产成本甚至低于 SiC 和 GaN 器件的生产成本是
17-P-0029，Ali Sayir 博士指导 ； 以及 Michael
完全可能实现的。
Gerhold 博士指导的 ARO 合同，编号 W911NF-
为了支持 β-Ga 2 O 3 的商业化，我们已经在
14-C-0157。Agnitron 还感谢 James Speck 和 Winston
与 UCSB 合作，以改善与这种氧化物相关的 Schoenfeld 教授的支持和合作贡献，这对于
MOCVD 生长技术。我们的努力开始于广泛的气 Agnitron 团队的 β-Ga 2 O 3 相关进展非常重要。
流和化学建模，从而能够确定理想的前体候选，
并建立其合适的生长条件窗口。这项工作也有助 扩展阅读
于反应器系统的设计。 K. Konishi et al. Appl. Phys. Lett. 110 103506 (2017)
我们现在正在进行 β-Ga 2 O 3 生长的第四代和 Z. Hu et al. Enhancement-mode Ga 2 O 3 vertical Transistors with
breakdown voltage > 1 kV, IEEE Electron Device Letters, Early Access,
第五代反应器配置。这些最新配置具有改进的气 25 April 2018.
M. Baldini et al. ECS J. Solid State Sci. Technol. 6 Q3040 (2016)
流注入能力，能够提供实现世界领先的 β-Ga 2 O 3
材料生长所需工艺条件。 G. Jessen et al. Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium
(CSICS), IEEE, Maimi, FL, USA, 2017
使用这种配置，我们最近在我们的 Agilis 系
M. Higashiwaki et al. physica status solidi (a) 211 21 (2014)
列研发 MOCVD 系统产品组合中添加了一个新的
Y. Zhang et al. Appl. Phys. Lett. 112 173502 (2018)
工具（参见图 6）。该系统可提供单片晶圆和多片
www.compoundsemiconductorchina.net 化合物半导体 2018年第4期 25
