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技术 | Technology – 光电子
图4.（a）在（001）硅
上制造的纳米线光子集
成电路的扫描电子显微
镜图像；（b）集成光
电二极管的光电流响
应；外加激光器注入电
流增加时，光电二极管
的响应。响应度谱中的
峰值和肩部源自于InN 率波导。由此获得了在波导区域中间结合有多个 结构特性以及用它们所制造激光器特性的理解。
盘和纳米线异质结构其
他区域的带间跃迁。 6nm 厚 InN 盘的器件，这些器件给出了非常有前 为了确定我们的激光器在基于通信应用中的
景的输出功率，良好的模态特性，极端的温度稳 适用性，我们对这些器件进行了高速测量。使用
定性（T 0 ~220K）和很大的差分增益，并且这些 小信号调制测量，我们发现我们的激光器可以在
全部为室温特性（有关输出光电流特性的详细信 高达 3GHz 的频率下进行调制。这绝不是它们能
息，请参见图 3）。发光峰值约为 1.3μm，因此说 力的极限 ：通过设计改进是可以增加这种带宽的。
我们的器件是硅基光子非常有希望的候选。
我们的合作者已经模拟了激光器的性能。使 制备光电二极管
用有限差分时域方法，韩国 Ajou 大学的 Junseok 即使是我们能够想到的最简单通信链路中，
Heo 研究了传播模式的特征（见图 3）。与此同时， 光电探测器也是另一个不可缺少的关键组件。
伊利诺伊大学厄巴纳 - 香槟分校的 John Dallesasse 激光器的成功促使我们研究用相同纳米线阵列
和他的小组计算了圆盘中的应变分布和能带结构。 来制造近红外波导的光电二极管。这项工作很
这两项研究都帮助我们增加了对 InN 盘的电子和 大程度上依赖于我们之前的工作，因为我们的
我们很高兴地发现我们的InN/GaN纳米线中圆盘阵列可以产生强的光致发光和高的
辐射效率。在聚对二甲苯钝化之前或之后，后者都达到67％，超过所有组分三元
合金InGaN盘的值。
30 化合物半导体 2018年第4期 www.compoundsemiconductorchina.net
