2025年4月焦点快讯
本期焦点
2025苏州大会展位图重磅发布！限量展位...
聚“芯”合力，共赢未来。ACT雅时国际商讯将于2025年5月21-22日，在苏州·狮山国际会议中心组织举办“2025半导体先进技术创新发展和机遇大会”。本次会议是线下会议，旨在加大上下游联动，促进整个产业链有序、高效地蓬勃发展，为与会者提供半导体领域内功率电子、微波射频、光电子材料等前沿技术、产品、标准以及材料应用的最新信息。为此，诚邀各位参加本次大会，共同促进行业发展！
行业新闻
关于为加速GaN器件业务化进程的企业...
因三垦电气株式会社（以下称“本公司）于2025年3月27日召开的董事会上决议，将收购拥有氮化镓（以下称“GaN”）外延技术自主知识产权的...
光伏薄膜可受益于机器学习...
基于钙钛矿半导体层的太阳能电池已经拥有很高的效率。它们能以经济的方式生产，设计轻薄灵活。但它们在长期稳定性和表面积扩展方面仍...
光刻技术重大突破！中国新凯来横空出世...
在近日落幕的SEMICON China 2025展会上，一家成立仅四年的深圳晶片设备商新凯来（SiCarrier Technologies）成为全场焦点。这家由...
中国科大团队开发出GaN纳米线“突触”
中国科学技术大学孙海定领导的iGaN Laboratory在Nature Communications上发表了一篇论文，提出了一种基于GaN纳米线的新型光电化学突触器件...
九峰山实验室GaN系列成果首次发布...
九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。该成果将助力射频前端等系统级芯片在频率...
具有高反型沟道迁移率的1.4 kV垂直...
中国科学技术大学（USTC）的研究人员展示了一种无需再生长的1.4 kV/2.0 mΩ-cm2垂直GaN沟槽MIS-FET，它具有205 cm2/V-s的高反型沟道迁移率...
产品与技术
推进铟镓砷MOSFET
来自台湾的研究人员开发了一种反型铟镓砷MOSFET，据称这种晶体管的跨导和截止频率（fT）的值非常出色。国立阳明交通大学的研究团队的...
氧化铪基铁电材料及其存储/存算芯片研究...
面对大数据、人工智能等新一代信息处理技术的发展，计算机数据处理的需求呈爆炸式增长，芯片的核心数不断增加。经过过去20年的发展，这种...
SiC电力电子器件技术和产业化进展
SiC电力电子器件的研究从20世纪80年代就开始了，受限于衬底质量，一直到本世纪初才产业化。随着制备工艺的不断优化发展，SiC电力电子器件的性能...
碳化硅衬底产业的淘汰赛中的创新之道...
2024 年 Wolfspeed 临阵换帅及世纪金光破产清算，给碳化硅衬底产业敲响了沉重而响亮的“警钟”。前者作为世界碳化硅衬底巨头因亏损难以扭转而选择...
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