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科技前沿 | Research Review




                 光电晶体管在自由空间通信中的应用





                 用 II 型超晶格材料制作中红外光电晶体管的光学增益已可达到 600 以上,可应用于“自由空间光通信”中。



                 位    于美国伊利诺伊州西                                                                结构能与锑化镓衬底相匹配
                      北大学的研究人员已
                                                                                               时,就可以进行所有这些调
                 经制作了一种红外 II 型超晶                                                               整”。
                 格光电晶体管,它具有令人                                                                      该研究团队将分子束外
                 印象深刻的性能,其探测效                                                                  延生长的探测器与基于 II 类
                 率为同类光电二极管的四倍。                                                                 超晶格的 p 型基区和轻掺杂
                     该研究团队制作的光                                                                 n 型集电区相结合,它的发
                 电晶体管,致冷条件下它在                                                                  射区是一种基于 InAs/GaSb/
                 4μm 波长的光学增益可达到                                                                AlSb/GaSb 的 超晶 格 结 构,
                 600 以上,对于激光的“自                                                                分别具有 7, 1, 5, 1 个单分子
                 由空间光通信”网络应用是                                                                  层结构 ;基区和集电区具有
                 一个强有力的候选器件。这                                                                  相似的结构,但每个周期结
                 种光通信技术能通过提供另                                                                  构上是由 6.5 个 InAs 单分子
                 一种一英里距离的链接来替              无抗反射涂层II型超晶格光电晶体管的光电响应曲线,显示在约3.9μm波长处达到             层的和 12 个锑化镓单分子层
                                           饱和。
                 代传统的光纤网络的信号传输。                                                        所组成。
                     该研究团队的组长 Manijeh               制造微型冷却器上的改进使得这种冷                       II 类超晶格光电探测器采用了标
                 Razeghi  解释说 :“‘自由空间光通信’ 却器的成本得到了下降,并还扩展了                             准的光刻技术来制作它的光电晶体管。
                 的主要卖点是在于,你不再需要再对                   它们的工作寿命”。                          测量表明,在 150K 温度下它具有超过
                 射频带宽进行任何的配置,这在信号                       Razeghi 及其同事所开发的是一种            2000 A/W 峰值响应(详情见图),而
                 拥挤的地区是很宝贵的资源”。更为重                  异质结晶体管器件,它是 HBT 器件的                在 77 K 温度、200 mV 偏置下它的光
                 要的是,与 WiFi  网络不同,“自由空              一种变体。光电晶体管一度被认为是                   学增益趋于一致,随着偏置电压增加
                 间光通信”可以对金融机构等具有高                   应用于近红外区的快速检测中,但随                   到 600 mV 左右,其光学增益达到饱和
                 度安全性要求的用户提供一种固有的、 后并没有获得成功,其原因是发现缺                                    值 668。与此同时,在 150 K 温度、偏
                 安全稳定的信号链接。                         乏一种能工作在该光谱波段的合适材                   置电压 110mV 时其光学增益趋于一致,
                     在理想情况下,这种光通信技术                 料组合。                               在 350mV 时达到 639 的饱和状态。
                 应该要避开 800nm 到 2μm 波长的近红                Razeghi 解释说 :“由于 II 型超晶            该团队的任务之一就是测量他们
                 外波段,这是为了避免对人眼产生安                   格材料具有优异的性质,我们重新对                   器件的工作速度。Razeghi 说道 :“从
                 全问题,这是一种与大功率激光源应                   异质结晶体管进行了审视,并给它提                   其他的实验证据表明,我们可以预期
                 用需求相关联一个问题。由 Razeghi 团             供了另一种应用机会 , 也即是在中红外                它能工作在千兆赫兹 GHz 波段 "。
                 队所制作的光电晶体管是工作在 5μm                 和远红外波段进行高速红外探测领域                       其他工作目标还包括要制作更长

                 到 3μm 波长的中红外波段区域。这是                来证明它是一种优秀的候选器件”。                   波长的光电晶体管,通过改进芯片的
                 一个十分适合进行自由空间光通信的                       她认为,她团队工作的最大意义                 设计和工艺来进一步提高它的工作速
                 红外光谱波段,在这一波长范围内的                   是完全由 II 型超晶格材料来制作异质                度,并开发可用于波长多路复用的双
                 大气的散射和吸收都相对比较微弱。                   结双极晶体管。这种方法通过可以自                   波段探测器。
                     由美国西北大学团队研制的 II 型              由地选择不同带隙能量的材料来制作
                 光电晶体管还存在着一个缺点,它在                   位于不同部位的晶体管,并且还能调                       A. Haddadi et. al. Appl. Phys.
                 工作时需要冷却,这将会增加应用的                   整它们之间的带隙能量偏移。                      Lett. 109 021107 (2016)
                 成本。Razeghi 认为 :“然而,近期在                 Razeghi  强调说 :“当空穴的晶格


                24   化合物半导体 2016年第4期                                                       www.compoundsemiconductorchina.net
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