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业界动态 | Industry

的中国周边国家和地区。因此从逻辑上讲，把产 能力，但是具备这种能力将产生一定的成本。
品从我们的厦门晶圆厂装运至后端供应商的所在 问 ：在失效分析方面你们具备哪些能力？
地，这是有帮助的。在封装和测试方面，我们确 答： 我们设有一个规模很大、设施齐全的失
有一个旨在支持铜柱的路线图。该路线图将于今 效分析实验室，这得益于从我们的母公司获得的
年二季度推出，从而能够支持那些需要芯片规模 技术诀窍和宝贵经验。我们的实验室配有多台设
封装型裸片的平台和晶圆。 备，包括聚焦离子束 ；我们还支持透射和扫描电
问 ：贵公司的工程师能否在器件设计方面为 子显微镜。我们有一台抛光机、一台化学开封机
客户提供专门知识？ (decapsulation machine)、一台激光开封机和发射
答： 我们公司内部不具备器件设计能力。严 显微镜。
格地说，我们提供的是晶圆代工业务。器件设计 问 ：能否请您对贵公司 HBT 技术的优势略
更多是以产品为导向的。 作介绍？
我们的确外包了数目有限的“裸片器件” 答： Sanan IC 提供了具有竞争力的 HBT 工艺
（bare-bones devices），以为客户评估提供样片。 技术，该技术采用干法蚀刻并具有 0.5 μm 的边
例如，当我们收到客户对高输出功率的功率放大 缘平台 (ledge)，以实现高的功率增益（相比于具
器所表达的兴趣时，发现他们希望了解的通常并 有 1.0 μm 湿法蚀刻边缘平台的传统工艺）。另外，
不限于标准单元样片。他们想看一些供电单元样 我们还通过外延结构设计实现了兼具高线性功率
片（这里包含了高输出功率放大器），以查验功率 和坚固 VSWR 的器件。
处理和输出功率能力。所以，我们确实将开发工 这些性能优势可用于诸如 Wi-Fi 11ac/ax 和
作进行了外包，以满足向客户提供供电单元样片 4G/5G sub-6 GHz 功率放大器等应用。而且，我
的需要。 们还在开发由 0.15/0.1 μm pHEMT 提供补充的 InP
问 ：贵公司对最终产品进行哪些特性分析？ HBT，以适合未来的 5G 毫米波功率放大器应用。
答： 当我们装运裸片时，配有 DC 探查测试结 问 ：贵公司面向功率器件的产品库是什么？
果，而且我们量化了每片晶圆的良率。我们可以与 答： 我们提供的是硅基 GaN 和 SiC 基 SiC 外
终端客户一起分享和审查我们的测试限度和测试标 延片。
准，这将与我们产品的最终测试数据相关联。 对于硅基 GaN，我们提供了 650 V 功率
问 ：贵公司对每颗裸片都进行测试吗？ E-mode GaN FET，主要面向快速充电便携式充
答： 我们在给定的晶圆上制造 100% 的产品 电器 / 适配器和电动汽车中的高功率密度和高效
裸片，并进行 DC 芯片探查。如果芯片探查良率 率 AC-DC 及 DC-DC 转换器，随后则是低电压版
图2. Sanan IC 晶圆 很高，则可降低测试百分比或跳过测试环节（比 本（200 V、100 V 和 60 V），适用于更多以消费
制造工程师正在加 如 ：对 HBT 产品），以最大限度地缩短测试时间， 者为导向的 AC-DC 和负载点 DC-DC 电源，如无
工化合物半导体晶
圆片。 从而降低成本。我们确实拥有裸片级的 RF 测试 线充电和用于数据中心及基站的背板开关模式电
源。目前正在开发的是具有两个特点的 E/D 模式
MISFET ：650 V 和 1.2 kV。
在 SiC 方面，我们针对肖特基势垒二极管
提供了不同的电压和电流额定规格。这些器件
可与高功率硅 IGBT、硅超级结 MOSFET 或 SiC
MOSFET 配合工作。肖特基势垒二极管具有
650V 和 1.2 kV 的特点。对于 650 V，它们的电流
范围为 2 A 至 40 A。对于 1.2 kV，我们可提供 10

A 和 20 A 版本。同样，这些器件主要针对相似的
应用，包括光伏（PV）逆变器、电动汽车充电、
工业电机驱动器、功率因数校正，等等。
除了 SiC 肖特基势垒二极管之外，我们还有
一个用于在明年支持 MOSFET 的路线图。我们着

6 化合物半导体 2018年第4期 www.compoundsemiconductorchina.net