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                 封面故事 | Cover Story - 雷达
                                                                                                                                        EPITAXIAL GROWTH!

                                  量网络分析仪来记录消声室中的散射场。这些测                       是如何帮助成像应用中生产可扩展的毫米波相控
                                  量包括将参考信号从发射头分离到相位检测器的                       阵。结果表明,我们的 CASA 技术是可负担的高
                                  LO 输入,并将来自接收头的信号提供给 RF 输入。                  分辨率成像雷达的可行方法。                                                                                                                     partner!
                                  实时数字采样示波器记录每个定位器方向的基带                           更一般地说,下一代毫米波子系统需要利用
                                  输出,同时移相器通过一组状态切换。通过在一                       不同技术针对不同形状因子的芯片的异构集成方
                                  组方向上重复这种测量,可以为每个代码提供散                       面取得进展。我们正在利用这些进步来构建用于
                                  射图案数据。这表明,CASA 235GHz 相控阵工                  毫米波成像和通信的尖端高频模块。
                                  作正常(参见图 5(b)中来自反射阵列的数字波                         作者注 :这项研究是在国防高级研究计划局
                                  束形成数据,其中波束在方位面上以 20°的间隔                    (DARPA)的资助下开发的。所表达的观点,意
                                  形成)。                                        见和 / 或调查结果均为作者的观点,意见和 / 或
                                      我们的工作展示了 RF GaN,III-V 器件技术              调查结果,不应解释为代表国防部或美国政府的
                                  的先进后端工艺,3D 芯片堆叠和平板架构的结合,                    官方观点或政策。


                                     扩展阅读
                                     F. Herrault et al. CS-Mantech-2018
                                     J.J. Lynch et al. SPIE DCS 2017
                                     J.J. Lynch IEEE Trans. Aero. And Elect. Sys. 52 918 (2016)
                                     K. Shinohara et al. IEEE Trans. Elect. Dev. 60 2982 (2013)





                                  Soitec 收购 EpiGaN, 增强其衬底产品组合优势

                                                                                                                                        Enabling advanced technologies
                                      2019 年 5 月 16 日,作为设计和生产创新性              更具成本效益是当今基站设计的趋势,Soitec 将
                                  半导体材料的全球领军企业,法国 Soitec 半导体                  扩展其应用于 PA 的产品组合,并以 GaN 产品领
                                  公司宣布,已与欧洲领先的氮化镓(GaN)外延                      衔这一趋势。                                                                                                          World leading technology
                                  硅片材料供应商 EpiGaN 达成最终协议,以 3,000                   EpiGaN 联合创始人兼首席执行官 Marianne
                                  万欧元现金收购 EpiGaN 公司。 EpiGaN 成立于               Germain 博士表示,“多年来,EpiGaN 在 GaN 技
                                  2010 年,是微电子产学研中心 IMEC 的衍生公司, 术领域备受行业认可,目前研制出并优化了一种                                                                                                          Complete materials range
                                  是欧洲领先的氮化镓技术解决方案供应商,其                        可投入使用的技术,应用于 5G 宽带网络应用。我
                                  GaN 产品主要用于射频、5G、电子元器件和传感                    们的技术为 Soitec 的客户创造了绝佳的机会,可                                                                                      MOCVD, MBE, CVD
                                  器应用。预计未来五年内,GaN 技术的市场应用                     以针对新兴高增长市场快速开发产品解决方案,
                                  规模将达到每年 50 万至一百万个晶圆。                        例如射频设备、高效电源开关设备和传感器设备。”
                                      Soitec 首席执行官 Paul Boudre 表示 :“目前,           EpiGaN 总监兼基石投资公司 LRM 代表                                                                                     Advanced semiconductor
                                                                                                                                                                                              wafer products
                                  GaN 技术在射频和功率市场中的应用备受瞩目。 Katleen Vandersmissen 则表示 :“EpiGaN 开发
                                  GaN 外延硅片材料与 Soitec 目前的优化衬底产品                的 GaN 技术开启了许多未来机遇。我们相信作
                                  系列将形成战略上的天作之合。收购 EpiGaN 进                   为 EpiGaN 的卓越合作伙伴,Soitec 将充分挖掘
                                  一步扩展并补充了 Soitec 的硅产品组合,为射频、 EpiGaN 的市场发展潜力。”                                                                                                                Advanced R&D capabilities
                                  5G 和功率系统创造了新的工艺解决方案,为用户                         此外,鉴于 GaN 在功率晶体管设计中的应
                                  增效。”                                        用,收购 EpiGaN 还将为 Soitec 现有的 Power-SOI                                                                            Multiple, manufacturing sites
                                      在移动领域,实现性能、低功耗和成本的共                     产品创造新的增长空间。Power-SOI 和 GaN 均可                                                                                   (Europe, Asia, USA)
                                  同优化至关重要。与 4G 相比,5G 低于 6GHz 频                满足智能化、节能化和高可靠的集成电路设备对
                                  段和毫米波的到来正在推动新一代基站的发展, 于综合高压和模拟功能的要求,以便广泛应用于
                                  它需要更高能效、更高性能、更小、更有经济效                       消费电子、数据中心、汽车和工业市场。EpiGaN
                                  益的功率放大器(PA)。更小、更轻、更高效和                      将被整合成为 Soitec 的一个业务部门。
                                                                                                                                                                          www.iqep.com
                14   化合物半导体 2019年第2期                                                       www.compoundsemiconductorchina.net




                                                                                                                                 Untitled-1   1                                                                                             08/03/2016   10:23
                                                                                                                                 Untitled-1   1                                                                                              02/07/2014   11:05
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