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技术 | Technology – GaN

图6. 转移到木尺上的非
门N极性GaN HEMT器
件的静态和脉冲电流-电
压特性。
之外，它还可以将 III-V 与许多不同类型材料（如 定性，结合典型的 III-N 生长方法，就能够制备
纸张和塑料）进行整合。由于 ELO 技术可与微转 出标准的器件异质结构，它具有后续加工艺所需
移技术相兼容，人们可以想像今后的 LED 显示屏 的高热预算。虽然在微电子学领域中，外延导体
将会成为一张纸，或能将功率放大器和天线集成 材料仍属于相对尚未开发的技术前沿，但很容易
到汽车的挡风玻璃上。 想象它在未来将有着广泛的应用前景。
Nb 2 N 也将会在新能源和医疗领域获得应用，
包括在柔性塑料衬底上对多结太阳能电池进行微 致谢
组装，或在生物可吸收聚合物上形成具有高数据 作者非常感谢美国海军研究部和国防部高级
传输速率的无线通信电路。为了展示将器件转移 研究计划署（D. Green）的研究经费支持。本文
到不同类型衬底上的应用潜力，我们将我们的一 的意见、观点和 / 或发现仅代表作者的观点，不
个 N 极性 GaN HEMT 转移到了木值标尺上（参 代表国防部或美国政府的官方观点或政策。作
见图 6，器件的静态和脉冲漏极电流曲线）。 者还要感谢 D.Jena，S. Mohney，C.Bower，K.
我们感到非常高兴能够探索 Nb 2 N 技术在 Ghosal，N.Nimil，V. Wheeler，M. Hardy，D.
III-N 上的应用。Nb 2 N 可用于 ELO 和转移技术， Storm，J.Champlain 和 N.Green 提供的研究支持
与采用离子注入或光电化学蚀刻的剥离方法相 和进行的有益讨论。
比，Nb 2 N 具有许多优点。我们的 ELO 除了能生
长出原子级别光滑膜层，所释放的器件或电路背
面可立即进行键合以外，它还可以实现对衬底材
料的无限次循环使用，从而显著降低了成本。
据预测，Nb 2 N 和 AlN 的热力学稳定性温度
高达 1500℃。利用 Nb 2 N 具有的这一高热力学稳

扩展阅读
D. S. Katzer et al. Appl. Phys. Express 8 085501 (2015)
B. P. Downey et al. Electron. Lett. 52 1263 (2016)
D. J. Meyer et al. IEEE Trans. Semicond. Manuf. 29 384 (2016)
D. J. Meyer and B. P. Downey, “Lift-off of epitaxial layers from silicon carbide or compound semiconductor substrates,”
U.S. Patent Application No. 14/331,440 and PCT Application No. PCT/US14/46609

www.compoundsemiconductorchina.net 化合物半导体 2017年第4期 27